[發明專利]一種采用刻蝕工藝在基材表面加工CD紋的方法

在審

• 申請號: 201610178182.0
• 申請日: 2016-03-25
• 公開（公告）號: CN105676589A
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發明（設計）人: 沈厚軍;趙博;李建勳;鄭松森
• 申請（專利權）人: 南京京晶光電科技有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;H01L21/02
• 代理公司: 蘇州市方略專利代理事務所(普通合伙) 32267
• 代理人: 馬廣旭

1.一種采用刻蝕工藝在基材表面加工CD紋的方法，其特征在于，包括如下步驟：

制作掩膜版

根據所加工CD紋規格不同，按照CD紋面積：掩膜版面積=1：1或4：1或5：1的比例設計、制 作掩膜版，在掩膜版表面中部形成與所述CD紋相對應的CD紋圖形區域，該CD紋圖形區域包 括透光區域和不透光區域；

涂布光阻薄膜、烘烤

取基材，在基材一表面均勻涂布一層光阻薄膜，該光阻薄膜厚度為10nm~50um；涂布完 成后的基材在70~130℃溫度下進行烘烤；

曝光、烘烤

取光刻機，將步驟1)所得掩膜版的圖形區域放置于光刻機光源與步驟2)處理后所得基 材光阻薄膜之間，光刻機打開遮光板對基材進行光照處理，光照時長100ms~60s，光刻機光 源發射的光線通過所述掩膜版圖形區域中的透光區域照射在基材的光阻薄膜上，接受光線 照射的光阻薄膜發生反應，進行曝光，曝光后的基材在70~130℃溫度下進行烘烤；

顯影、烘烤

將步驟3)處理后的基材通過顯影液進行顯影處理，顯影處理時長為30S~24h，使步驟3) 中發生反應的光阻薄膜溶解于顯影液中，未反應的光阻薄膜保留在基材表面，在光阻薄膜 表面形成CD紋圖形，去除顯影液及溶解于其內的光阻薄膜，完成顯影處理，將處理完成后的 基材在70~130℃溫度下進行烘烤；

刻蝕

在基材表面進行刻蝕處理，對未保留光阻薄膜的基材表面進行刻蝕，保留光阻薄膜的 基材表面不被刻蝕，將步驟4)中在光阻薄膜表面形成的CD紋圖形轉移至基材表面，在基材 表面形成所述CD紋，去除保留的光阻薄膜，完成所述采用刻蝕工藝在基材表面加工CD紋。

2.根據權利要求1所述的一種采用刻蝕工藝在基材表面加工CD紋的方法，其特征在于， 所述基材相對光阻薄膜的另一面涂覆有一層反光鍍層，所述反光鍍層材料選自油墨、樹酯、 紫外線固化膠、鉻或鎘；所述基材的材質為玻璃、石英、聚氯乙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚甲基丙 烯酸甲酯或金屬片材。

3.根據權利要求1所述的一種采用刻蝕工藝在基材表面加工CD紋的方法，其特征在于， 所述CD紋由若干同心圓環組成，每個圓環線寬相同，線寬范圍為300nm~500um，每兩個相鄰 圓環之間線距相等，線距為300nm~500um。

4.根據權利要求1所述的一種采用刻蝕工藝在基材表面加工CD紋的方法，其特征在于， 所述掩膜版形狀為一方形板體，材質為石英或玻璃，包括設置于中部的CD紋圖形區域和位 于所述CD紋圖形區域外周的不透光區域，所述不透光區域表面間隔設置有若干對位標記。

5.根據權利要求1所述的一種采用刻蝕工藝在基材表面加工CD紋的方法，其特征在于， 步驟2)所述涂布方式為旋轉涂布或噴霧涂布；所述光阻為正向光阻或負向光阻，光阻粘稠 度為2~95。

6.根據權利要求1所述的一種采用刻蝕工藝在基材表面加工CD紋的方法，其特征在于， 所述步驟2)、步驟3)、步驟4)中所述烘烤采用熱板或烘箱進行烘烤，采用熱板進行烘烤的溫 度范圍70~130℃，時間為30秒~300秒；采用烘箱進行烘烤的溫度范圍為70~130℃，時間為1 分鐘~45分鐘。

7.根據權利要求1所述的一種采用刻蝕工藝在基材表面加工CD紋的方法，其特征在于， 步驟2)中，如果所述基材的可見光穿透率大于80%：

在光阻薄膜涂布前，先在基材表面涂布一層0.1~100nm的底部抗反射涂層，再進行光阻 涂布；

或者在光阻薄膜涂布后，在光阻薄膜表面涂布一層0.1~100nm的頂部抗反射涂層；

或者在光阻薄膜涂布前，先在基材下表面鍍一層不透明薄膜，然后按照所述步驟2)、步 驟3)、步驟4)的順序進行在基材表面進行CD紋加工，加工完成后去除所述不透明薄膜；

或者選擇單面拋光基材，在拋光面按照所述步驟2)、步驟3)、步驟4)的順序進行在基材 表面進行CD紋加工，加工完成后拋光所述基材另一表面。