[發明專利]一種鎢鈦酸鉍鐵電薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 201610177743.5 | 申請日： | 2016-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN105870123B | 公開（公告）日： | 2018-06-29 |
| 發明（設計）人： | 高鋒;張繼豪;吳艷;韋悅周 | 申請（專利權）人： | 廣西大學 |
| 主分類號： | H01L27/11502 | 分類號： | H01L27/11502;H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 廣西南寧公平知識產權代理有限公司 45104 | 代理人： | 覃現凱 |
| 地址： | 530004 廣西壯族*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 酸鉍 鎢鈦 制備 薄膜 鐵電薄膜 前驅液 配制 非易失性鐵電存儲器 鈦酸鉍鐵電薄膜 致密 薄膜制備過程 稀土元素摻雜 制備鐵電薄膜 鈦酸正四丁酯 二乙醇甲醚 規?；a 抗疲勞性能 水合硝酸鉍 薄膜材料 高溫焙燒 工藝路線 厚度均勻 混合溶液 控制材料 剩余極化 鐵電性能 稀土元素 乙酰丙酮 異丙醇鎢 冰乙酸 光透性 前驅膜 前驅物 穩定劑 溶劑 涂覆 光滑 生產成本 應用 | ||
【權利要求書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
