[發明專利]一種VOx/M/VOx“三明治”結構薄膜制備VO2的方法及其應用在審
| 申請號： | 201610177508.8 | 申請日： | 2016-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN105624630A | 公開（公告）日： | 2016-06-01 |
| 發明（設計）人： | 高彥峰;萬冬云;劉恒武;石翔 | 申請（專利權）人： | 上海大學 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顧勇華 |
| 地址： | 200444*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 vo sub 三明治 結構 薄膜 制備 方法 及其 應用 | ||
1.一種VOx/M/VOx三明治結構薄膜的制備方法，其特征在于具有如下的制備過程和步 驟：
a.首先用磁控濺射法在襯底上沉積三層薄膜：
底層VOX：金屬靶V反應沉積或V2O5陶瓷靶無氧分壓直接沉積；厚度為50nm～100nm；磁 控濺射法的工作壓力為0.5Pa～1Pa；沉積時間為5min～20min；直流濺射功率為50W～ 200W，優選100W；射頻濺射的功率為100W～300W，優選200W；
中間金屬層M：中間金屬為V,或高價金屬陽離子W；沉積厚度為2nm~5nm；
上層VOX：金屬靶V反應沉積或V2O5陶瓷靶無氧分壓直接沉積；厚度為50nm～100nm；磁 控濺射法的工作壓力為0.5Pa～1Pa，沉積時間為5min～20min；直流濺射功率為50W～ 200W，優選100W；射頻濺射的功率為100W～300W，優選200W；
所述的襯底為石英或單晶硅；
所述的VOx/M/VOx三明治結構薄膜的厚度為100nm～200nm，優選100nm~150nm；
b.薄膜的退火：薄膜需經過管式爐退火，退火溫度為200℃～500℃，保溫時間為10 min~120min；先利用機械泵抽取本底真空至1Pa左右，停止抽真空，通氬氣再升溫至所需 溫度，保溫一定時間后停止加熱，自然冷卻；最終得到VO2薄膜。
2.所述VOx/M/VOx三明治結構薄膜制備的VO2的應用及用途
a.用于非制冷焦平面探測器：制備的VO2薄膜晶型為B相或者M相；VO2薄膜的負電阻溫度 系數為-2%/K~-5%/K,方塊電阻為10KΩ/□~70KΩ/□；
b.用于智能窗：制備的VO2薄膜晶型為M相；其在室溫和80℃的紅外透過率的差值在30% 以上。
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