[發(fā)明專利]一種含稀土配合物的金針菇保鮮膜母粒的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610177107.2
• 申請日: 2016-03-24
• 公開（公告）號: CN105602087A
• 公開（公告）日: 2016-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊裕金;游瑞云;陳彩珍;高宇菥;張倩倩
• 申請（專利權(quán)）人: 福建師范大學(xué)
• 主分類號: C08L23/08
• 分類號: C08L23/08;C08L5/08;C08K13/02;C08K3/38;C08K3/34;C08K5/20;C08K5/098;B29C47/92
• 代理公司: 福州君誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35211
• 代理人: 戴雨君

1.一種含稀土配合物的金針菇保鮮膜母粒的制備方法，其特征是：

稀土配合物的制備：

（1）將2重量份的植物多糖溶于60重量份的乙酸溶液中，攪拌均勻后，加入80重量份的甲醇，溶液不再黏稠，加入1重量份的乙酸酐，于溫度30℃下反應(yīng)1h后，將反應(yīng)所得的黏稠液體加入到150重量份的乙醇中，沉淀生成后過濾沉淀物，用無水乙醇洗滌3次，再用乙酸溶液溶解后，濾去不溶物，得到乙酰化植物多糖溶液；

（2）按照鑭、釔、釹、鈰離子的摩爾比為2.95～3.00:0.95～1.05:0.50～0.60:0.95～1.05，分別稱取鑭的化合物、釔的化合物、釹的化合物和鈰的化合物混合成稀土化合物，并以1﹕5的重量份比加入到蒸餾水中，完全能溶解后得到稀土化合物混合水溶液；按照植物多糖與稀土化合物等重量比，將稀土化合物混合水溶液緩慢滴加至乙酰化植物多糖溶液中，調(diào)節(jié)反應(yīng)體系pH至7.0，在轉(zhuǎn)速1000r/min、溫度25～30℃條件下反應(yīng)6～7小時，產(chǎn)物以沉淀形式析出；過濾得沉淀物后，用蒸餾水洗滌去除未反應(yīng)的稀土金屬離子，在真空干燥箱中干燥，研磨，得到粉末狀的稀土配合物；

母粒的制備：

（1）將20～25重量份的稀土配合物，2.0～3.0重量份的硅藻土，復(fù)配后置于攪拌機(jī)中，加入0.8～1.0重量份油酸酰胺，在轉(zhuǎn)速為250r/min、溫度為102±1℃條件下進(jìn)行包覆分散，15min后得到原料I；

（2）將10～15重量份電氣石粉置于高速捏合機(jī)中，在轉(zhuǎn)速為500r/min，溫度為105±1℃條件下捏合10min后，再加入1.0～1.2重量份硬脂酸鈉，進(jìn)行界面改性20min后成原料II；

（3）將原料II和原料I置于混合機(jī)中混合成混合料，再加入60～66重量份的LLDPE混合10min得到混合物料；

（4）將混合物料置于雙螺桿擠出機(jī)中擠出切粒即為母粒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含稀土配合物的金針菇保鮮膜母粒的制備方法，其特征是所述的電氣石粉為鎂電氣石粉、黑電氣石粉、鋰電氣石粉、鈉錳電氣石粉中的種或幾種任意比例的混合物；所述的電氣石粉粒徑為1.3～6.5μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含稀土配合物的金針菇保鮮膜母粒的制備方法，其特征是所述的乙酸溶液質(zhì)量百分比濃度為2%。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含稀土配合物的金針菇保鮮膜母粒的制備方法，其特征是所述的植物多糖為淀粉、果糖、纖維素、殼多糖中的一種或幾種任意比例的混合物。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含稀土配合物的金針菇保鮮膜母粒的制備方法，其特征是所述的鑭的化合物為氫氧化鑭、醋酸鑭、硝酸鑭或氯化鑭；所述的釔的化合物為氫氧化釔、醋酸釔、硝酸釔或氯化釔；所述的釤的化合物為氫氧化釤、醋酸釤、硝酸釤或氯化釤；本發(fā)明所述的鈰的化合物為氫氧化鈰、醋酸鈰、硝酸鈰或氯化鈰。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含稀土配合物的金針菇保鮮膜母粒的制備方法，其特征是所述的包覆分散過程中攪拌機(jī)的轉(zhuǎn)速為250r/min，溫度為102±1℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含稀土配合物的金針菇保鮮膜母粒的制備方法，其特征是所述的界面改性過程中高速捏合機(jī)的轉(zhuǎn)速為500r/min，溫度為105±1℃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含稀土配合物的金針菇保鮮膜母粒的制備方法，其特征是所述的混合料混合過程中混合機(jī)的轉(zhuǎn)速為120r/min，溫度為108±1℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含稀土配合物的金針菇保鮮膜母粒的制備方法，其特征是所述的擠出切粒過程中雙螺桿擠出機(jī)料筒溫度控制在I區(qū)130～140℃、II區(qū)145～150℃、III區(qū)150～155℃、IV區(qū)160～165℃、V區(qū)155～160℃、模頭155～160℃。