[發(fā)明專利]HDI板集中度回歸對位制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610176978.2 | 申請日： | 2016-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN105764272B | 公開（公告）日： | 2018-12-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 賴榮祥 | 申請（專利權(quán)）人： | 柏承科技（昆山）股份有限公司 |
| 主分類號： | H05K3/46 | 分類號： | H05K3/46 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | hdi 集中 對位 制造 方法 | ||
1.一種HDI板集中度回歸對位制造方法，其特征在于：所有板件均采用空心的靶標(biāo)，所述靶標(biāo)包括被深色外環(huán)包圍的淺色內(nèi)圓；前兩塊板件具有圖形全等的靶標(biāo)，前兩塊板件利用兩個靶標(biāo)對齊疊壓，然后在兩個靶標(biāo)的內(nèi)圓重疊部分的中心鉆出直徑小于兩個內(nèi)圓內(nèi)徑的靶點；從第三板件開始利用前一次鉆出靶點對位，然后以當(dāng)前板件的靶標(biāo)內(nèi)圓中心為圓心鉆出新靶點，所述新靶點的直徑小于前次靶點的直徑；以此類推，重復(fù)操作直到HDI板疊壓完成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HDI板集中度回歸對位制造方法，其特征在于：每塊板件均包括四個位于四角的靶標(biāo)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的HDI板集中度回歸對位制造方法，其特征在于：后壓合板件的靶標(biāo)內(nèi)圓直徑小于先壓合板件的靶標(biāo)內(nèi)圓直徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的HDI板集中度回歸對位制造方法，其特征在于：每一步鉆出的靶點直徑比此時被鉆板件的靶標(biāo)內(nèi)圓直徑小0.1±0.01mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的HDI板集中度回歸對位制造方法，其特征在于：后壓合板件的靶標(biāo)內(nèi)圓直徑比前一次生成的靶點直徑小0.1±0.01mm。
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