[發明專利]一種物理氣相沉積制備碳化硅晶體的坩堝

在審

• 申請號: 201610175716.4
• 申請日: 2016-03-27
• 公開（公告）號: CN105734665A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 張松林;周君君
• 申請（專利權）人: 成都超邁南光科技有限公司
• 主分類號: C30B23/02
• 分類號: C30B23/02;C30B29/36
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種物理氣相沉積制備碳化硅晶體的坩堝，包括坩堝本體（1）和坩堝上蓋（2），所述坩堝上蓋（2）位于坩堝本體（1）的上端，其特征在于，所述坩堝本體（1）內的底部豎直設有多塊導熱片（10），且導熱片（10）之間相互平行，所述坩堝本體（1）的內側壁上設有凸塊（6），所述凸塊（6）的上端設有圓形擋板（5），所述圓形擋板（5）上設有通孔，所述圓形擋板（5）的上側設有多個空心柱（7），所述圓形擋板（5）的下部空間通過通孔與空心柱（7）的內腔連通，所述空心柱（7）遠離圓形擋板（5）的一端為封閉結構，所述空心柱（7）以圓形擋板（5）的軸線呈圓周對稱，所述空心柱（7）的側壁等間距設有透氣孔（8），所述坩堝上蓋（2）的下端設有凹槽，所述凹槽內設有籽晶（3）。

2.根據權利要求1所述的一種物理氣相沉積制備碳化硅晶體的坩堝，其特征在于，所述導熱片（10）的數量為3-6個，所述導熱片（10）為波浪形導熱片，所述導熱片（10）和坩堝本體（1）為一體成型。

3.根據權利要求1所述的一種物理氣相沉積制備碳化硅晶體的坩堝，其特征在于，所述空心柱（7）的直徑為1.2-1.8mm，所述空心柱（7）的數量為4-12個。

4.根據權利要求3所述的一種物理氣相沉積制備碳化硅晶體的坩堝，其特征在于，所述空心柱（7）的直徑為1.4-1.6mm，所述空心柱（7）的數量為7-9個。

5.根據權利要求1所述的一種物理氣相沉積制備碳化硅晶體的坩堝，其特征在于，所述籽晶（3）為圓柱形籽晶。