[發明專利]使用承載器擴展的晶圓加工有效
| 申請號: | 201610175525.8 | 申請日: | 2011-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN105755450B | 公開(公告)日: | 2019-03-15 |
| 發明(設計)人: | 博揚·米特洛維奇;魏光華;埃里克·A·阿莫;阿吉特·帕蘭杰佩 | 申請(專利權)人: | 維易科儀器公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/458;H01L21/687 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 陳衛 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使用 承載 擴展 加工 | ||
1.一種晶圓承載器,包括:具有圓形上表面的本體、構成所述上表面邊界的周邊表面以及配件,所述配件用于接合晶圓加工反應器的心軸從而使得所述上表面和周邊表面與所述心軸同心,所述本體包括在所述周邊表面周圍的向上傾斜的唇緣,所述本體進一步界定出多個凹部,每個凹部用于保持晶圓,所述凹部包括外凹部,所述外凹部用于保持晶圓從而使得部分的晶圓位于所述周邊表面5 mm內,其中,每個所述凹部相對于所述晶圓承載器的本體的上表面凹陷,并且包括面向上的表面,所述面向上的表面用于將晶圓保持在所述凹部中,使得所述晶圓與所述上表面共面。
2.根據權利要求1所述的晶圓承載器,其中,每個凹部的最靠外部分和晶圓承載器的本體的周邊表面之間的距離小于5mm。
3.根據權利要求1所述的晶圓承載器,其中,所述心軸用于可釋放地接合所述晶圓承載器。
4.一種包括權利要求1所述的晶圓承載器及圍繞晶圓承載器的本體的環的系統,所述環具有面向上游方向的上表面,所述環被設置在所述晶圓承載器的本體的周圍,使得所述環緊密地圍繞所述本體,并且所述環的上表面大體上與所述晶圓承載器的本體的上表面連續,其中所述環的上表面在徑向向外的方向上向上傾斜。
5.根據權利要求4所述的系統,其中,所述環被固定,防止繞上游-下游軸旋轉。
6.根據權利要求4所述的系統,其中,所述環能夠繞上游-下游軸旋轉。
7.根據權利要求4所述的系統,其中,所述環由多個同心環形成。
8.根據權利要求4所述的系統,其中,所述環的上表面向上傾斜。
9.一種用于加工晶圓的方法,包括:
提供晶圓承載器,所述晶圓承載器包括具有圓形上表面的本體、構成所述上表面邊界的周邊表面以及配件,所述配件用于接合晶圓加工反應器的心軸從而使得所述上表面和周邊表面與所述心軸同心,所述本體包括在所述周邊表面周圍的向上傾斜的唇緣,所述本體進一步界定出多個凹部,每個凹部用于保持晶圓,所述凹部包括外凹部,所述外凹部用于保持晶圓從而使得部分的晶圓位于所述周邊表面5 mm內;以及
隨著所述晶圓承載器和晶圓旋轉,沿下游方向將反應性氣體朝所述晶圓承載器排出,使得所述氣體在晶圓上沉積厚度大體上均勻的膜,其中,每個所述凹部相對于所述晶圓承載器的本體的上表面凹陷,并且包括面向上的表面,所述面向上的表面用于將晶圓保持在所述凹部中,使得所述晶圓與所述上表面共面。
10.根據權利要求9所述的方法,其中,在排出步驟期間沉積在晶圓上的膜在整個晶圓上大體上均勻,精確度為2%之內。
11.根據權利要求9所述的方法,其中,在排出步驟期間沉積在晶圓上的膜在整個晶圓上大體上均勻,精確度為7%之內。
12.根據權利要求9所述的方法,其中,每個凹部的最靠外部分和所述晶圓承載器的本體的周邊表面之間的距離小于5mm。
13.根據權利要求9所述的方法,其中,環圍繞晶圓承載器的本體,所述環具有面向上游方向的上表面,所述環被設置在所述晶圓承載器的本體的周圍,使得所述環緊密地圍繞所述本體,且所述環的上表面大體上與所述晶圓承載器的本體的上表面連續,并且所述方法進一步包括,隨著所述晶圓承載器和晶圓旋轉,沿下游方向將反應性氣體朝所述晶圓承載器排出,使得所述氣體向外流過所述晶圓承載器和所述環,其中所述環的上表面在徑向向外的方向上向上傾斜。
14.根據權利要求13所述的方法,進一步包括經由放置在所述晶圓承載器和所述環的下游的排氣裝置排放所述氣體。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





