[發明專利]液晶顯示器面板及其像素單元的制備方法

有效

• 申請號: 201610173628.0
• 申請日: 2016-03-24
• 公開（公告）號: CN107229167B
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 肖德元
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L29/16
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 金華

1.一種液晶顯示器面板的像素單元的制備方法，所述液晶顯示器面板，包括：

玻璃襯底；

多條石墨烯數據線，平行排列于該玻璃襯底上；

多條石墨烯柵極線，平行排列于該玻璃襯底上，該多條石墨烯柵極線與該多條石墨烯數據線相互垂直設置，以定義出多個像素區，每個像素區中設有像素單元，該像素單元包括：

晶體管，形成于該玻璃襯底上，該晶體管包括柵極電極、源極電極及漏極電極，該柵極電極電性連接于該多條石墨烯柵極線的其中一條，該源極電極電性連接于該多條石墨烯數據線中的其中一條；

顯示電極，形成于該玻璃襯底上，該顯示電極電性連接于該漏極電極；及

電容電極，形成于該玻璃襯底上，該電容電極電性連接于該顯示電極；

其中，該電容電極與該玻璃襯底之間具有該多條石墨烯柵極線的其中一條的一部分、該多條石墨烯數據線中的其中一條的一部分與第一介電層，以形成石墨烯電容；

其中，該晶體管還包括第二介電層，該第二介電層形成于該柵極電極與該玻璃襯底之間，該源極電極與該漏極電極分別設置于該第二介電層的相對兩側，以形成石墨烯穿隧式通道；

所述制備方法包括：

提供玻璃襯底；

在該玻璃襯底上形成p型摻雜石墨烯層，該p型摻雜石墨烯層具有暴露該玻璃襯底的第一開口，該第一開口將該p型摻雜石墨烯層分割為第一區域和第二區域；

形成第一介電層，該第一介電層具有覆蓋該第一區域的第三區域與覆蓋部分的暴露于該第一開口的該玻璃襯底的第四區域，以形成暴露該玻璃襯底的第二開口及暴露該p型摻雜石墨烯層的第三開口；

形成n型摻雜石墨烯層，該n型摻雜石墨烯層具有覆蓋該第三區域的第五區域、覆蓋該第四區域的第六區域、覆蓋暴露于該第二開口的該玻璃襯底的第七區域和覆蓋該第三開口的一部分的第八區域，以形成暴露該p型摻雜石墨烯層的第四開口；

在該第八區域上形成第二介電層；及

形成電極層，該電極層包括電容電極、漏極電極、柵極電極與源極電極，該電容電極形成于該第五區域的一部分上，該漏極電極形成于該第六區域的一部分與該第七區域的一部分上，該柵極電極形成于該第二介電層的一部分上，該源極電極形成于暴露于該第四開口的該p型摻雜石墨烯層的一部分上。

2.如權利要求1所述的像素單元的制備方法，其特征在于，該第一介電層的材料為二氧化硅、氟氧化硅、氮氧化硅的一種或組合。

3.如權利要求1所述的像素單元的制備方法，其特征在于，該第二介電層的材料為高介電常數材料。

4.如權利要求1所述的像素單元的制備方法，其特征在于，該第二介電層的材料包括二氧化鈦、二氧化鉿、二氧化鋯的一種或組合。

5.如權利要求1所述的像素單元的制備方法，其特征在于，該電極層的材料為鉻、金、鎳、鎢、鈦、氮化鈦的一種或組合。

6.如權利要求1所述的像素單元的制備方法，其特征在于，在該玻璃襯底上形成p型摻雜石墨烯層的步驟包括：通過第一道光刻蝕刻程序形成該第一開口。

7.如權利要求1所述的像素單元的制備方法，其特征在于，形成該第一介電層的步驟包括：通過第二道光刻蝕刻程序形成該第二開口與該第三開口。

8.如權利要求1所述的像素單元的制備方法，其特征在于，形成該n型摻雜石墨烯層的步驟包括：通過第三道光刻蝕刻程序形成該第四開口。

9.如權利要求1所述的像素單元的制備方法，其特征在于，形成該第二介電層的步驟包括：通過第四道光刻蝕刻程序形成該第二介電層。

10.如權利要求1所述的像素單元的制備方法，其特征在于，形成該電極層的步驟包括：通過第五道光刻蝕刻程序形成該電容電極、該漏極電極、該柵極電極與該源極電極。