[發(fā)明專利]一種MEMS器件及其制備方法、電子裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610172712.0 | 申請(qǐng)日： | 2016-03-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107231595A | 公開（公告）日： | 2017-10-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 周鳴 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H04R19/04 | 分類號(hào)： | H04R19/04;H04R19/00 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務(wù)所11336 | 代理人： | 高偉,馮永貞 |
| 地址： | 201203 *** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 mems 器件 及其 制備 方法 電子 裝置 | ||
1.一種MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：
基底(201)；
振膜(203)，位于所述基底(201)的上方，所述振膜(203)包括石墨烯層；
背板(205)，位于所述振膜(203)的上方；
空腔，位于所述振膜(105)和所述背板(103)之間。
2.根據(jù)權(quán)利1所述的MEMS器件，其特征在于，所述石墨烯層中摻雜有Au、Ag、Cu、Ni、P、In和Ga中的一種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利1所述的MEMS器件，其特征在于，所述基底中形成有背腔，露出部分所述振膜。
4.根據(jù)權(quán)利1所述的MEMS器件，其特征在于，所述背板(205)中形成有若干開口。
5.一種MEMS器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
提供基底(201)，在所述基底上形成有圖案化的振膜(203)，所述振膜(203)包括石墨烯層；
在所述基底(201)和所述振膜(203)上形成具有開口的犧牲層，所述開口露出所述振膜(203)；
在所述犧牲層上形成背板(205)，以覆蓋所述犧牲層和所述開口，并在所述振膜(105)和所述背板(103)之間形成空腔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述石墨烯層中摻雜有Au、Ag、Cu、Ni、P、In和Ga中的一種或多種。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述犧牲層的步驟包括：
在所述基底(201)和所述振膜(203)上形成犧牲層；
圖案化所述犧牲層，以在所述犧牲層的中間部位形成開口，露出所述振膜(203)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述背板(205)的步驟包括：
將所述犧牲層與背板晶圓接合，以覆蓋所述犧牲層和所述開口，并在所述振膜(105)和所述背板(103)之間形成空腔；
薄化所述背板晶圓，以減小所述背板晶圓的厚度；
在所述背板晶圓上形成鈍化層，以覆蓋所述背板晶圓；
圖案化所述鈍化層，以形成第一開口，露出部分所述背板晶圓；
圖案化所述背板晶圓，以在所述背板晶圓中形成若干相互間隔的第二開口。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法還進(jìn)一步包括圖案化所述基底的背面，以在所述基底中形成背腔，露出部分所述振膜。
10.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括權(quán)利要求1至4之一所述的MEMS器件。
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