[發(fā)明專利]一種低損耗交叉疊層式LTCC威爾金森功分器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610172478.1 | 申請(qǐng)日： | 2016-03-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105846032B | 公開（公告）日： | 2018-04-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 蔡壯;葉強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)計(jì)量學(xué)院 |
| 主分類號(hào)： | H01P5/16 | 分類號(hào)： | H01P5/16 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司33200 | 代理人： | 邱啟旺 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 損耗 交叉 疊層式 ltcc 威爾金森功分器 | ||
1.一種低損耗交叉疊層式LTCC威爾金森功分器，其特征在于，包括從上到下依次布置的電感L1層(2)、電感L2層(3)、電感L3層(4)、電感L4層(5)、金屬矩形線層(6)；
電感L1層(2)包括陶瓷基片，布置于陶瓷基片上表面的兩條金屬線、第一金屬圓(21)、第二金屬圓(22)、以及兩個(gè)布置于陶瓷基片上表面邊緣的第一輸出端口(23)和第二輸出端口(24)，每個(gè)金屬線的兩端分別連接一個(gè)輸出端口和一個(gè)金屬圓；
電感L2層(3)包括陶瓷基片，布置于陶瓷基片上表面的兩條金屬線、第三金屬圓(31)、第四金屬圓(32)、第五金屬圓(33)、第六金屬圓(34)；其中一根金屬線的兩端分別連接第四金屬圓(32)、第五金屬圓(33)；另一根金屬線的兩端分別連接第三金屬圓(31)、第六金屬圓(34)；第三金屬圓(31)通過通孔柱與第一金屬圓(21)相連，第四金屬圓(32)通過通孔柱與第二金屬圓(22)相連；
電感L3層(4)包括陶瓷基片，布置于陶瓷基片上表面的兩條金屬線、第七金屬圓(41)、第八金屬圓(42)、第九金屬圓(43)、第十金屬圓(44)；其中一根金屬線的兩端分別連接第八金屬圓(42)、第九金屬圓(43)；另一根金屬線的兩端分別連接第七金屬圓(41)、第十金屬圓(44)；第五金屬圓(33)通過通孔柱與第七金屬圓(41)相連，第六金屬圓(34)通過通孔柱與第八金屬圓(42)相連；
電感L4層(5)包括陶瓷基片，布置于陶瓷基片上表面的兩條金屬線、第十一金屬圓(51)、第十二金屬圓(52)、第十三金屬圓(53)、第十四金屬圓(54)；其中一根金屬線的兩端分別連接第十二金屬圓(52)、第十三金屬圓(53)；另一根金屬線的兩端分別連接第十一金屬圓(51)、第十四金屬圓(54)；且第十三金屬圓(53)、第十四金屬圓(54)相連；第十一金屬圓(51)通過通孔柱與第九金屬圓(43)相連，第十二金屬圓(52)通過通孔柱與第十金屬圓(44)相連；
金屬矩形線層(6)包括陶瓷基片，布置于陶瓷基片上表面的第十五金屬圓(61)和第十六金屬圓(62)，以及布置于陶瓷基片上表面邊緣的輸入端口(63)，輸入端口(63)與兩個(gè)金屬圓通過矩形金屬片相連；其中，第十五金屬圓(61)通過通孔柱與第十三金屬圓(53)相連，第十六金屬圓(62)通過通孔柱與第十四金屬圓(54)相連；
相鄰兩層陶瓷基片上的金屬線在豎直方向上不重疊，輸入端口和輸出端口的寬度相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低損耗交叉疊層式LTCC威爾金森功分器，其特征在于，還包括mark層(1)，mark層(1)包括印有mark點(diǎn)的陶瓷基片，mark層(1)布置在電感L1層(2)上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低損耗交叉疊層式LTCC威爾金森功分器，其特征在于，還包括布置于金屬矩形線層(6)下方的金屬屏蔽層(7)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低損耗交叉疊層式LTCC威爾金森功分器，其特征在于，還包括布置于金屬屏蔽層(7)下方的底層(8)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低損耗交叉疊層式LTCC威爾金森功分器，其特征在于，所述底層(8)包括陶瓷基片，以及布置于陶瓷基片下底面的第一金屬焊盤(81)、第二金屬焊盤(82)、第三金屬焊盤(83)，所述第一金屬焊盤(81)與輸入端口(63)相連，第二金屬焊盤(82)、第三金屬焊盤(83)分別與第一輸出端口(23)和第二輸出端口(24)相連。
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