[發明專利]一種GaAsHBT功率器件在審
| 申請號： | 201610172324.2 | 申請日： | 2016-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN107230708A | 公開（公告）日： | 2017-10-03 |
| 發明（設計）人： | 周佳輝;郭嘉帥;錢永學;孟浩 | 申請（專利權）人： | 上海翰微電子技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/737 | 分類號： | H01L29/737;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京匯澤知識產權代理有限公司11228 | 代理人： | 張瑾 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gaashbt 功率 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種GaAs HBT功率器件，其特征在于，所述GaAs HBT功率器件包括多個并聯的HBT晶體管，所述GaAs HBT功率器件的襯底隔離區開設有背孔，所述GaAs HBT功率器件的襯底有源區在所述HBT晶體管的背面位置開設有背孔，所述HBT晶體管的發射極通過布線金屬與襯底隔離區的背孔金屬相連。
2.根據權利要求1所述的GaAs HBT功率器件，其特征在于，所述襯底有源區的背孔孔徑小于所述襯底隔離區的背孔孔徑。
3.根據權利要求2所述的GaAs HBT功率器件，其特征在于，所述襯底有源區的背孔刻蝕深度小于所述GaAs HBT功率器件絕緣層襯底的厚度。
4.根據權利要求3所述的GaAs HBT功率器件，其特征在于，所述襯底有源區的背孔的個數等于所述HBT晶體管的個數。
5.根據權利4所述的GaAs HBT功率器件，其特征在于，所述襯底有源區的背孔的位置與所述HBT晶體管的位置相對應。
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