[發明專利]一種發光二極管芯片及其制作方法有效
| 申請號： | 201610172229.2 | 申請日： | 2016-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN105742455B | 公開（公告）日： | 2018-05-22 |
| 發明（設計）人： | 尹靈峰;王江波 | 申請（專利權）人： | 華燦光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/46 | 分類號： | H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一種發光二極管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在襯底的第一表面依次形成N型層、發光層、P型層，形成外延層；
在所述P型層上形成從所述P型層延伸到所述N型層的凹槽；
在所述P型層上形成透明導電薄膜；
在所述透明導電薄膜上設置P型電極，在所述N型層上設置N型電極；
對所述襯底進行減薄；
在所述襯底的第二表面形成分布式布拉格反射鏡DBR，所述第二表面為與所述第一表面相反的表面；
對所述DBR、所述襯底、以及所述外延層進行切割和分裂，得到相互獨立的LED芯片；
在所述DBR上形成Ag金屬反射層，并將所述Ag金屬反射層沿所述LED芯片之間的分割線撕裂，通過膠膜去除所述LED芯片之間的分割線上的Ag金屬反射層；
在所述Ag金屬反射層上沉積金屬保護層，并通過擴膜動作將所述金屬保護層沿所述LED芯片之間的分割線斷開，所述金屬保護層和所述DBR形成密封空間，所述Ag金屬反射層位于所述密封空間內。
2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金屬保護層為TiW層、交替形成的Ti層和Pt層、或者TiN層。
3.根據權利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述膠膜包括聚氯乙烯PVC基材和亞克力系粘著劑。
4.根據權利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述DBR上形成Ag金屬反射層，包括：
在所述DBR上形成粘附層；
在所述粘附層上形成Ag金屬反射層。
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