[發明專利]一種電阻式氣體傳感器及其制備方法有效
| 申請號: | 201610172151.4 | 申請日: | 2016-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN105699441B | 公開(公告)日: | 2018-04-13 |
| 發明(設計)人: | 謝光忠;馬行方;吳寸雪;唐詩;蘇元捷;太惠玲;杜曉松;杜鴻飛 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | G01N27/12 | 分類號: | G01N27/12 |
| 代理公司: | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)51232 | 代理人: | 葛啟函 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電阻 氣體 傳感器 及其 制備 方法 | ||
1.一種電阻式氣體傳感器,其特征在于,包括絕緣襯底、位于絕緣襯底上的叉指電極以及沉積于叉指電極上的氣體敏感薄膜層;所述氣體敏感薄膜層以叉指電極的對稱中軸線為對稱軸在器件表面被劃分為兩個對稱的的分區,每個分區分別沉積有對同一特定氣體具有不同響應的氣體敏感薄膜層。
2.根據權利要求1所述的電阻式氣體傳感器,其特征在于,所述叉指電極材料為金或鋁。
3.根據權利要求2所述的電阻式氣體傳感器,其特征在于,所述叉指電極對數為10~15對,指間距為10~100μm。
4.一種電阻式氣體傳感器的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1:對襯底進行清洗并預處理,通過熱氧化法在襯底表面生長出一層均勻的二氧化硅絕緣層;
步驟2:在二氧化硅絕緣層上光刻形成叉指電極對數為10~15對,指間距為10~100μm的叉指電極負圖形;
步驟3:在步驟2所得的叉指電極負圖形上濺射形成鎳鉻合金層,再在鎳鉻層表面鍍金層或鋁層,最后去除多余的金層或鋁層,得到叉指電極;
步驟4:以叉指電極的對稱中軸線為對稱軸在器件表面形成兩個對稱的的分區,所述各分區均為對同一特定氣體具有不同響應的氣體敏感薄膜層,從而制得電阻式氣體傳感器。
5.根據權利要求4所述的電阻式氣體傳感器的制備方法,其特征在于,所述步驟3中鎳鉻合金層的厚度為5~10nm,金層或鋁層的厚度為50~100nm。
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