[發(fā)明專利]發(fā)光二極管陣列

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610171733.0
• 申請日: 2011-04-25
• 公開（公告）號(hào): CN105762166B
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周理評(píng);楊於錚;葉瑞鴻
• 申請（專利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 姚冠揚(yáng)

本發(fā)明公開一種發(fā)光二極管陣列，該發(fā)光二極管陣列由N個(gè)(N≧3)發(fā)光二極管單元所組成，包括：永久基板；粘結(jié)層位于永久基板之上；第二導(dǎo)電層位于粘結(jié)層之上；第二分隔層位于第二導(dǎo)電層之上；跨接金屬層位于第二分隔層之上；第一分隔層位于跨接金屬層之上；導(dǎo)電性連接層位于第一分隔層之上；外延結(jié)構(gòu)位于導(dǎo)電性連接層之上；第一電極位于外延結(jié)構(gòu)之上。發(fā)光二極管單元間經(jīng)跨接金屬層彼此電性連接。

本申請是申請日為2011年04月25日、申請?zhí)枮?01110102886.7、發(fā)明名稱為“發(fā)光二極管陣列”的發(fā)明專利申請的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管陣列，特別是涉及一種由N個(gè)(N≧3)發(fā)光二極管單元所組成發(fā)光二極管陣列。

背景技術(shù)

近年來，由于外延與工藝技術(shù)的進(jìn)步，使發(fā)光二極管(light emitting diode，簡稱LED)成為極具潛力的固態(tài)照明光源之一。由于物理機(jī)制的限制，LED僅能以直流電驅(qū)動(dòng)，因此，任何以LED作為光源的照明設(shè)計(jì)中，都需要搭配整流及降壓等電子組件，以將電力公司直接提供的交流電轉(zhuǎn)換為LED可使用的直流電源。然而增加整流及降壓等電子組件，除造成照明成本的增加外，整流及降壓等電子組件的低交流直流轉(zhuǎn)換效率、偏大的體積等均會(huì)影響LED使用于日常照明應(yīng)用時(shí)的可靠度與使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)光二極管陣列包括：永久基板；粘結(jié)層位于永久基板之上；第二導(dǎo)電層位于粘結(jié)層之上；第二分隔層位于第二導(dǎo)電層之上；跨接金屬層位于第二分隔層之上；第一分隔層位于跨接金屬層之上；導(dǎo)電性連接層位于第一分隔層之上；外延結(jié)構(gòu)位于導(dǎo)電性連接層之上；及第一電極位于外延結(jié)構(gòu)之上。

發(fā)光二極管陣列包括：永久基板；粘結(jié)層位于永久基板之上；第一導(dǎo)電層位于粘結(jié)層之上；第二分隔層位于第一導(dǎo)電層之上；跨接金屬層位于第二分隔層之上；第一分隔層位于跨接金屬層之上；導(dǎo)電性連接層位于第一分隔層之上；及外延結(jié)構(gòu)位于導(dǎo)電性連接層之上。

發(fā)光二極管陣列，包括N個(gè)發(fā)光二極管單元(N≧3)，且發(fā)光二極管單元間經(jīng)跨接金屬層彼此電性連接。

附圖說明

圖1A-1I為本發(fā)明所揭示的發(fā)光二極管陣列1的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。

圖1A’-1G’為本發(fā)明所揭示的發(fā)光二極管陣列1的結(jié)構(gòu)俯視示意圖。

圖2A-2I為本發(fā)明所揭示的發(fā)光二極管陣列2的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。

圖2A’-2G’為本發(fā)明所揭示的發(fā)光二極管陣列2的結(jié)構(gòu)俯視示意圖。

附圖標(biāo)記說明

1，2：發(fā)光二極管陣列

11：生長基板

12：第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層

13：活性層

14：第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層

15：溝槽

16：平臺(tái)

17：導(dǎo)電性連接層

18：走道

19：第一分隔層

20：導(dǎo)電區(qū)

21：跨接金屬層

22：第二分隔層

23：第二導(dǎo)電層

24：粘結(jié)層

25：永久基板

26：第一導(dǎo)電層

27：第一電極

28：第二電極