[發明專利]一種發光二極管芯片的制作方法

有效

• 申請號: 201610171660.5
• 申請日: 2016-03-24
• 公開（公告）號: CN105720143B
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發明（設計）人: 尹靈峰;謝鵬;高艷龍;王江波
• 申請（專利權）人: 華燦光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/44;H01L33/14;H01L33/42
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

本發明公開了一種發光二極管芯片的制作方法，屬于半導體技術領域。所述制作方法包括：在襯底的第一表面上依次生長N型層、發光層、P型層，形成外延層；在P型層上形成從P型層上延伸到N型層的凹槽；在P型層上形成電流阻擋層；在電流阻擋層和P型層上形成透明導電薄膜；在透明導電薄膜上電流阻擋層對應的區域邊緣形成絕緣層，絕緣層包括多個間隔排列的絕緣單元；在絕緣層的遮擋下對透明導電薄膜進行高溫退火；在透明導電薄膜上電流阻擋層對應的區域形成P型電極，在N型層上形成N型電極；對襯底進行減薄；在襯底的第二表面形成分布式布拉格反射鏡DBR；對DBR、襯底、以及外延層進行切割和分裂。本發明可以提高發光效率。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種發光二極管芯片的制作方法。

背景技術

發光二極管(Light Emitting Diode，簡稱LED)是一種半導體發光器件，被廣泛用于指示燈、顯示屏等。

現有的LED芯片包括襯底、以及依次層疊在襯底上的N型層、發光層、P型層，P型層上開設有從P型層延伸到N型層的凹槽，電流阻擋層、電流擴展層、P型電極依次設置在P型層上，N型電極設置在N型層上。

在實現本發明的過程中，發明人發現現有技術至少存在以下問題：

形成電流擴展層后會在O₂的參與下對電流擴展層進行退火，如果O₂含量太多會降低電流擴展層的導電性能，如果O₂含量太少會降低光線的出射率和LED芯片的發光亮度、以及電流擴展層與P型層之間的歐姆接觸，即使是在最佳的O₂含量的基礎上，由于電流是由P型電極和N型電極注入LED，必定導致電流聚集在P型電極和N型電極附近，邊緣部分沒有得到充分利用，LED芯片的發光效率較低。

發明內容

為了解決現有技術邊緣部分沒有得到充分利用、LED芯片的發光效率較低的問題，本發明實施例提供了一種發光二極管芯片的制作方法。所述技術方案如下：

本發明實施例提供了一種發光二極管芯片的制作方法，所述制作方法包括：

在襯底的第一表面上依次生長N型層、發光層、P型層，形成外延層；

在所述P型層上形成從所述P型層上延伸到所述N型層的凹槽；

在所述P型層上形成電流阻擋層；

在所述電流阻擋層和所述P型層上形成透明導電薄膜；

在所述透明導電薄膜上所述電流阻擋層對應的區域邊緣形成絕緣層，所述絕緣層包括多個間隔排列的絕緣單元，所述絕緣單元的面積沿從中心向四周的方向逐漸減小；

在所述絕緣層的遮擋下對所述透明導電薄膜進行高溫退火；

在所述透明導電薄膜上所述電流阻擋層對應的區域形成P型電極，在所述N型層上形成N型電極；

對所述襯底進行減薄；

在所述襯底的第二表面形成分布式布拉格反射鏡DBR，所述第二表面為與所述第一表面相反的表面；

對所述DBR、所述襯底、以及所述外延層進行切割和分裂，得到相互獨立的發光二極管芯片。

可選地，所述絕緣單元的橫截面為圓形或環形。

可選地，所述絕緣層的厚度為5納米～5微米。

可選地，所述絕緣層為SiO₂層或SiN層。

可選地，所述制作方法還包括：

在所述透明導電薄膜上所述電流阻擋層對應的區域形成所述絕緣層。