[發明專利]一種大功率量子阱半導體激光器外延片結構在審
| 申請號： | 201610168707.2 | 申請日： | 2016-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN105633797A | 公開（公告）日： | 2016-06-01 |
| 發明（設計）人： | 潘旭;張露;吳波;張小賓;楊翠柏 | 申請（專利權）人： | 中山德華芯片技術有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/343 | 分類號： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人： | 梁瑩 |
| 地址： | 528437 廣東省中山*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 大功率 量子 半導體激光器 外延 結構 | ||
1.一種大功率量子阱半導體激光器外延片結構，其特征在于：包括有n-GaAs 襯底，在所述n-GaAs襯底上由下至上依次外延生長n-GaAs緩沖層、 n-AlxGa1-xAs組分漸變層、n-AlxGa1-xAs下限制層、AlxGa1-xAs下波導層、 AlxGa1-xAs下勢壘層、量子阱有源層、AlxGa1-xAs上勢壘層、AlxGa1-xAs上波 導層、p-AlxGa1-xAs上限制層、p-AlxGa1-xAs組分漸變層、p-GaAs頂層；所述 AlxGa1-xAs上波導層的厚度小于所述AlxGa1-xAs下波導層的厚度，所述量子阱 有源層中包含一個AlxGa1-xAs雙勢壘阻擋層，所述p-AlxGa1-xAs上限制層、 p-AlxGa1-xAs組分漸變層、p-GaAs頂層中的摻雜劑為四溴化碳或者四氯化碳。
2.根據權利要求1所述的一種大功率量子阱半導體激光器外延片結構，其 特征在于：所述n-AlxGa1-xAs組分漸變層與p-AlxGa1-xAs組分漸變層的厚度 范圍在800nm至1500nm。
3.根據權利要求1所述的一種大功率量子阱半導體激光器外延片結構，其 特征在于：所述n-AlxGa1-xAs下限制層與AlxGa1-xAs下波導層總厚度范圍在 200nm至800nm。
4.根據權利要求1所述的一種大功率量子阱半導體激光器外延片結構，其 特征在于：所述AlxGa1-xAs下勢壘層與AlxGa1-xAs上勢壘層的Al含量相同； 所述AlxGa1-xAs雙勢壘阻擋層中的Al含量為AlxGa1-xAs上勢壘層或 AlxGa1-xAs下勢壘層的Al含量的三分之一至二分之一。
5.根據權利要求1所述的一種大功率量子阱半導體激光器外延片結構，其 特征在于：所述n-AlxGa1-xAs上限制層與上波導層總厚度范圍在200nm至 800nm。
6.根據權利要求1所述的一種大功率量子阱半導體激光器外延片結構，其 特征在于：所述p-GaAs頂層的摻雜濃度大于5×1019cm/m3。
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