[發(fā)明專利]一種快速退火制備Al-Si+歐姆接觸的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610166858.4
• 申請日: 2016-03-23
• 公開（公告）號: CN105609412A
• 公開（公告）日: 2016-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊宇;遲慶斌;舒啟江;王茺;王榮飛;楊杰
• 申請（專利權(quán)）人: 云南大學(xué)
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/324;H01L21/203;C23C14/35;H01L29/45
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1.一種磁控濺射聯(lián)合快速退火技術(shù)制備Al-Si⁺歐姆接觸電極的方法，其特征在于：

采用單面拋光低摻雜N型單晶Si為襯底，以超高真空磁控濺射儀為制備設(shè)備，快速退火爐為后期處理設(shè)備，磁控濺射溫度為200-550^OC，快速退火爐升溫時間為70-150s，退火溫度為450-700^OC，退火時間為300-1200s，接觸電阻率為0.05-0.5Ω.cm²，電流-電壓特性曲線成線性關(guān)系。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備Al-Si⁺歐姆接觸電極的方法，其特征在于Al-Si⁺歐姆接觸電極的生長襯底為晶面取向為（110）、厚度為0.3-0.8mm、電阻率為1-8Ω.cm的單面拋光低摻雜N型單晶Si。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備Al-Si⁺歐姆接觸電極的方法，其特征在于濺射沉積薄膜前，濺射腔體真空度≤3.0×10^-4Pa，對襯底加溫至200-550^OC處理。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備Al-Si⁺歐姆接觸電極的方法，其特征在于磁控濺射儀中靶材與襯底之間以垂直濺射的方式沉積Al膜，并且在沉積Al膜之前，預(yù)先啟動Al靶材直流濺射，通過預(yù)濺射清除靶材表面雜質(zhì)，具體條件如下：純度為99.999%的Ar氣為工作氣體，流量為10SCCM；濺射氣壓為2-5Pa；射功率為50-150w；濺射時間為60-6000s。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備Al-Si⁺歐姆接觸電極的方法，其特征在于所述步驟中沉積Al膜時先將襯底加熱溫至300-400^OC，以直流濺射為沉積方式，具體條件如下：Ar氣流量為10SCCM；濺射氣壓為1.0-2.0Pa；射功率為50-150w；沉積厚度為100-800nm，濺射完畢后即刻自然降溫獲得初始樣品。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述制備Al-Si⁺歐姆接觸電極的方法，其特征在于所述步驟中對初始樣品的處理為將樣品迅速放入快速退火爐中進行快速退火處理，退火參數(shù)如下：以N₂為保護氣體，退火溫度為450-700^OC，升溫時間為70-150s，退火時間為300-1200s。