[發(fā)明專利]一種移位寄存器及驅(qū)動(dòng)方法、柵極驅(qū)動(dòng)電路和顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610166436.7
• 申請(qǐng)日: 2016-03-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105590612B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳沫;趙劍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G09G3/36
• 分類(lèi)號(hào): G09G3/36;G11C19/28
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11291
• 代理人: 黃志華

1.一種移位寄存器，包括上拉驅(qū)動(dòng)單元、上拉單元、下拉單元、下拉驅(qū)動(dòng)單元和復(fù)位單元，所述上拉驅(qū)動(dòng)單元通過(guò)上拉節(jié)點(diǎn)與所述上拉單元連接，所述復(fù)位單元用于在所述移位寄存器正常輸出完成之后拉低所述移位寄存器的信號(hào)輸出端所連接的柵線的電位，其特征在于，所述移位寄存器還包括放電輔助單元、放電驅(qū)動(dòng)單元和放電控制信號(hào)端；

放電輔助單元，用于根據(jù)所述放電控制信號(hào)端輸入的放電控制信號(hào)，拉低所述上拉節(jié)點(diǎn)的電位；

放電驅(qū)動(dòng)單元，用于根據(jù)所述放電控制信號(hào)端輸入的放電控制信號(hào)，拉高所述移位寄存器的信號(hào)輸出端所連接的柵線的電位；

所述復(fù)位單元，還用于在所述放電驅(qū)動(dòng)單元拉高所述移位寄存器的信號(hào)輸出端所連接的柵線的電位并輸出完成之后，再次拉低所述移位寄存器的信號(hào)輸出端所連接的柵線的電位。

2.如權(quán)利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，

所述上拉驅(qū)動(dòng)單元包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的柵極、源極和所述第二薄膜晶體管的源極電連接觸發(fā)信號(hào)端，所述第一薄膜晶體管的漏極和所述第二薄膜晶體管的漏極電連接所述上拉節(jié)點(diǎn)，所述第二薄膜晶體管的柵極電連接第二時(shí)鐘信號(hào)端；

所述上拉單元包括第三薄膜晶體管和電容，所述第三薄膜晶體管的柵極和所述電容的第一端電連接所述上拉節(jié)點(diǎn)，所述第三薄膜晶體管的源極電連接第一時(shí)鐘信號(hào)端，所述第三薄膜晶體管的漏極和所述電容的第二端電連接信號(hào)輸出端；

所述下拉單元包括第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管和第六薄膜晶體管，所述第四薄膜晶體管的柵極和所述第五薄膜晶體管的柵極電連接下拉節(jié)點(diǎn)，所述第四薄膜晶體管的源極電連接所述上拉節(jié)點(diǎn)，所述第四薄膜晶體管的漏極、所述第五薄膜晶體管的漏極和所述第六薄膜晶體管的漏極電連接低電平信號(hào)端，所述第五薄膜晶體管的源極和所述第六薄膜晶體管的源極電連接所述信號(hào)輸出端，所述第六薄膜晶體管的柵極電連接第二時(shí)鐘信號(hào)端；

所述下拉驅(qū)動(dòng)單元包括第七薄膜晶體管、第八薄膜晶體管、第九薄膜晶體管和第十薄膜晶體管，所述第七薄膜晶體管的柵極、源極和所述第八薄膜晶體管的源極電連接所述第二時(shí)鐘信號(hào)端，所述第七薄膜晶體管的漏極、第八薄膜晶體管的柵極和第九薄膜晶體管的源極電連接，所述第八薄膜晶體管的漏極和所述第十薄膜晶體管的源極電連接所述下拉節(jié)點(diǎn)，所述第九薄膜晶體管的柵極和所述第十薄膜晶體管的柵極電連接所述上拉節(jié)點(diǎn)，所述第九薄膜晶體管的漏極和所述第十薄膜晶體管的漏極電連接所述低電平信號(hào)端；

所述復(fù)位單元包括第十一薄膜晶體管和第十二薄膜晶體管，所述第十一薄膜晶體管的柵極和所述第十二薄膜晶體管的柵極電連接復(fù)位信號(hào)端，所述第十一薄膜晶體管的源極電連接所述上拉節(jié)點(diǎn)，所述第十一薄膜晶體管的漏極和所述第十二薄膜晶體管的漏極電連接所述低電平信號(hào)端，所述第十二薄膜晶體管的源極電連接所述信號(hào)輸出端。

3.如權(quán)利要求2所述的移位寄存器，其特征在于，所述放電輔助單元包括第十三薄膜晶體管，所述第十三薄膜晶體管的柵極連接所述放電控制信號(hào)端，所述第十三薄膜晶體管的源極連接所述上拉節(jié)點(diǎn)，所述第十三薄膜晶體管的漏極電連接所述低電平信號(hào)端。

4.如權(quán)利要求3所述的移位寄存器，其特征在于，所述放電驅(qū)動(dòng)單元包括第十四薄膜晶體管，所述第十四薄膜晶體管的柵極電連接所述放電控制信號(hào)端，所述第十四薄膜晶體管的源極電連接所述第一時(shí)鐘信號(hào)端，所述第十四薄膜晶體管的漏極電連接所述信號(hào)輸出端。

5.如權(quán)利要求4所述的移位寄存器，其特征在于，上述全部薄膜晶體管均為N型薄膜晶體管。

6.一種柵極驅(qū)動(dòng)電路，包括多個(gè)級(jí)聯(lián)的移位寄存器，其特征在于，所述移位寄存器如權(quán)利要求5所述的移位寄存器。

7.如權(quán)利要求6所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，還包括放電控制信號(hào)線，所述放電控制信號(hào)線用于為所述移位寄存器的放電控制信號(hào)端提供放電控制信號(hào)，以控制所述放電輔助單元和所述放電驅(qū)動(dòng)單元；

所述放電控制信號(hào)在所述柵極驅(qū)動(dòng)電路掃描過(guò)程中保持低電平，在所述柵極驅(qū)動(dòng)電路掃描結(jié)束后提供一個(gè)時(shí)鐘周期的高電平，所述時(shí)鐘周期為所述移位寄存器中時(shí)鐘信號(hào)的周期。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求6或7所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路。

9.一種移位寄存器的驅(qū)動(dòng)方法，用于驅(qū)動(dòng)如權(quán)利要求5所述的移位寄存器，其特征在于，包括：

由第一時(shí)鐘信號(hào)端、第二時(shí)鐘信號(hào)端、觸發(fā)信號(hào)端、低電平信號(hào)端、復(fù)位信號(hào)端和放電控制信號(hào)端一一對(duì)應(yīng)的提供第一時(shí)鐘信號(hào)、第二時(shí)鐘信號(hào)、初始觸發(fā)信號(hào)、低電平信號(hào)、復(fù)位信號(hào)和放電控制信號(hào)；

所述第一時(shí)鐘信號(hào)和所述第二時(shí)鐘信號(hào)為互補(bǔ)的脈沖信號(hào)；所述初始觸發(fā)信號(hào)具有相間隔、且與所述第二時(shí)鐘信號(hào)的相間隔的兩個(gè)時(shí)鐘高電平脈沖相同的觸發(fā)高電平脈沖；所述復(fù)位信號(hào)具有相間隔的兩個(gè)復(fù)位高電平脈沖，前一所述復(fù)位高電平脈沖落后所述初始觸發(fā)信號(hào)的前一所述觸發(fā)高電平脈沖一個(gè)時(shí)鐘周期，后一所述復(fù)位高電平脈沖與后一所述觸發(fā)高電平脈沖同步；所述放電控制信號(hào)具有一個(gè)時(shí)長(zhǎng)為一個(gè)所述時(shí)鐘周期的時(shí)長(zhǎng)的放電高電平脈沖，所述放電高電平脈沖的上升沿早于后一所述觸發(fā)高電平脈沖的上升沿半個(gè)所述時(shí)鐘周期，所述放電高電平脈沖的下降沿與后一所述觸發(fā)高電平脈沖的下降沿同步；其中，所述時(shí)鐘周期為所述第一時(shí)鐘信號(hào)和所述第二時(shí)鐘信號(hào)的周期。