[發明專利]一種非拋光單晶硅基器件光刻對準標記的堿腐蝕加工方法有效

申請號：	201610165552.7	申請日：	2016-03-22
公開（公告）號：	CN105655248B	公開（公告）日：	2018-06-05
發明（設計）人：	杜志民;王一宇;郭立洲;李妍	申請（專利權）人：	河南芯睿電子科技有限公司
主分類號：	H01L21/306	分類號：	H01L21/306;H01L23/544
代理公司：	新鄉市平原專利有限責任公司 41107	代理人：	路寬
地址：	453003 河南省***	國省代碼：	河南;41
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摘要：
搜索關鍵詞：	非拋光去除光刻對準標記單晶硅清洗單晶硅片堿腐蝕液基器件堿腐蝕氧化層腐蝕晶向制堿硅片對準標記大尺寸硅片金剛石結構金字塔結構對準標記腐蝕區域硅片表面拋光效率稀氟氫酸不規則沖洗水腐蝕液光澤度密集度抖動硅片沖水配比加工浸泡印記凝聚
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【權利要求書】：

1.一種非拋光單晶硅基器件光刻對準標記的堿腐蝕加工方法，其特征在于具體步驟為：首先將非拋光<111>晶向單晶硅片在20~30℃的稀氟氫酸溶液中浸泡3~20min以去除硅片對準標記區的氧化層，而不去除對準標記區周圍的氧化層，沖水清洗干凈，所述的稀氟氫酸溶液中氟氫酸與水的體積比為1:10~1:4；然后配制堿腐蝕液，其中質量濃度為30%~40%的氫氧化銨溶液、去離子水與異丙醇按照1:10:0.25~1:3:0.25的體積比例進行配置或質量濃度為30%~40%的氫氧化銨溶液與去離子水按照1:10~1:3的體積比例進行配置，將上述清洗干凈的硅片在40~75℃的堿腐蝕液中腐蝕1~18min，加兆聲波去除反應氣泡或持續抖動防止氣泡凝聚，再沖洗水清洗干凈單晶硅片，從而在非拋光<111>晶向單晶硅片上腐蝕出光亮密集的金字塔結構。

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