[發明專利]一種用于制造顯示面板的方法、顯示面板以及顯示裝置

有效

• 申請號: 201610165425.7
• 申請日: 2016-03-22
• 公開（公告）號: CN105789219B
• 公開（公告）日: 2018-07-27
• 發明（設計）人: 徐海峰;史大為;王文濤;楊璐;王子峰;司曉文
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1333
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 牛南輝;李崢

本發明涉及一種用于制造顯示面板的方法、顯示面板以及顯示裝置。一種用于制造顯示面板的方法包括：在基板上形成第一金屬層；在所述第一金屬層上形成第二金屬層；氧化所述第二金屬層的一部分以形成延伸到所述第一金屬層的表面的氧化物；去除所述氧化物以暴露所述第一金屬層的所述表面；以及在所述第一金屬層的暴露的所述表面上形成導電層。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別地，涉及一種用于制造顯示面板的方法、顯示面板以及顯示裝置。

背景技術

TFT-LCD現有顯示產品陣列設計中，尤其是嵌入式(full in Cell)觸控產品，作為公共電極的諸如ITO的透明氧化物層經常需要與源極/漏極(S/D)電極層相連接以傳遞信號。在分時驅動時，該公共電極在顯示階段傳遞公共電壓信號(Vcom)并在觸控階段傳遞觸控信號。然而，低溫多晶硅(LTPS)工藝中S/D材料所采用的導電材料與公共電極層之間的接觸電阻過大，從而劣化顯示面板的顯示和觸控性能。

發明內容

本發明的實施例提供了一種用于制造顯示面板方法，能夠有效解決導電布線之間由于界面氧化物的存在所導致的接觸電阻增高的問題。

本發明的一個方面提供了一種用于制造顯示面板的方法，包括：

在基板上形成第一金屬層；

在所述第一金屬層上形成第二金屬層；

氧化所述第二金屬層的一部分以形成延伸到所述第一金屬層的表面的氧化物；

去除所述氧化物以暴露所述第一金屬層的所述表面；以及

在所述第一金屬層的暴露的所述表面上形成導電層。

進一步地，所述第二金屬層具有500到1000埃的厚度。

進一步地，還包括構圖所述第一金屬層以形成源極/漏極電極層，以及所述導電層在顯示階段作為公共電極且在觸控階段作為觸控電極。

進一步地，在所述氧化之前，在所述第二金屬層上形成隔離層并構圖所述隔離層以形成暴露所述第二金屬的所述部分的開口。

進一步地，所述氧化包括在形成所述開口之后的所述第二金屬層的氧暴露。

進一步地，所述氧暴露包括下列中的至少一種：

在工序間轉移所述基板的步驟；

構圖所述隔離層之后的退火步驟；以及

在形成所述導電層之前的所述隔離層的灰化步驟。

進一步地，去除所述氧化物包括去除位于所述開口的底部處的所述氧化物以暴露所述第一金屬層的頂表面。

進一步地，使用所述隔離層作為保護層，通過濕法蝕刻來去除所述氧化物。

進一步地，所述導電層形成在所述隔離層的頂表面上、所述開口的所述側壁上和所述第一金屬層的暴露的所述頂表面上。

進一步地，所述第一金屬層包括Ti/Al/Ti疊層或Mo/Al/Mo疊層，所述第二金屬層包括Al或Ag，以及所述導電層包括透明導電層。

進一步地，所述第一金屬層包括Ti/Al/Ti疊層以及所述第二金屬層包括Al，其中所述第一金屬層和所述第二金屬層通過依次連續沉積Ti、Al、Ti、Al層而形成。

進一步地，所述透明導電層包括ITO。

進一步地，所述隔離層包括樹脂。

進一步地，通過稀硫酸溶液去除所述氧化物。

本發明的另一方面提供了一種顯示面板，包括：

在基板上形成的第一金屬層；