[發明專利]OLED顯示面板、智能顯示玻璃裝置及制備方法在審
| 申請號: | 201610165277.9 | 申請日: | 2016-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN107221548A | 公開(公告)日: | 2017-09-29 |
| 發明(設計)人: | 牟鑫 | 申請(專利權)人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201506 上海市金山區*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 面板 智能 玻璃 裝置 制備 方法 | ||
1.一種OLED顯示面板,其特征在于,包括:
設置有顯示區和非顯示區的透明襯底;
薄膜晶體管,設置于所述透明襯底的所述顯示區;
OLED顯示模組,與所述薄膜晶體管電連接,且所述OLED顯示模組設置于所述薄膜晶體管之上;以及
透明度調節功能層,設置于所述透明襯底的所述非顯示區,所述透明度調節功能層用以調整所述OLED顯示面板的透光率。
2.如權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述透明度調節功能層為電致變色材料或光致變色材料。
3.如權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述OLED顯示模組包括陽極、有機功能層和陰極,且所述陽極與所述薄膜晶體管電連接。
4.如權利要求3所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述有機功能層包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的全部或部分。
5.如權利要求4所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述陰極設置在所述發光層和所述透明度調節功能層之上。
6.如權利要求3所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述OLED顯示面板還包括透明度調節上電極和透明度調節下電極;
其中,所述透明度調節上電極設置于所述透明度調節功能層之上,所述透明度調節下電極設置于所述透明度調節功能層和所述透明襯底之間。
7.一種OLED顯示面板的制備方法,其特征在于,包括:
提供一設置有顯示區和非顯示區的透明襯底;
于所述透明襯底的顯示區上制備薄膜晶體管;
于所述薄膜晶體管上制備OLED顯示模組,所述透明襯底的非顯示區上制備用以調整所述OLED顯示面板的透光率的透明度調節功能層;以及
進行封裝工藝以形成所述OLED顯示面板。
8.如權利要求7所述的OLED顯示面板的制備方法,其特征在于,所述透明度調節功能層為電致變色材料或光致變色材料。
9.如權利要求7所述的OLED顯示面板的制備方法,其特征在于,于所述薄膜晶體管上制備OLED顯示模組,所述透明襯底的非顯示區上制備所述透明度調節功能層的步驟包括:
于所述薄膜晶體管之上制備陽極,所述陽極覆蓋所述薄膜晶體管和所述透明襯底的非顯示區的上表面;
于所述陽極之上依次形成空穴注入層和發光層;
于所述透明襯底的非顯示區上形成所述透明度調節功能層;以及
于所述發光層和所述透明度調節功能層之上形成陰極。
10.如權利要求9所述的OLED顯示面板的制備方法,其特征在于,所述陽極為ITO/Ag/ITO;
所述方法中,在形成所述空穴注入層的步驟之前還包括將位于所述透明襯底的非顯示區上的所述陽極中的Ag予以去除的步驟。
11.如權利要求7所述的OLED顯示面板的制備方法,其特征在于,于所述薄膜晶體管上制備OLED顯示模組,所述透明襯底的非顯示區上制備所述透明度調節功能層的步驟包括:
于所述薄膜晶體管上依次形成陽極、有機功能層和陰極;以及
于所述透明襯底的非顯示區上依次形成透明度調節下電極、所述透明度調節功能層以及透明度調節上電極。
12.如權利要求11所述的OLED顯示面板的制備方法,其特征在于,制備所述有機功能層包括制備空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的全部或部分。
13.一種智能顯示玻璃裝置,其特征在于,應用于設置有行車電 腦的車輛上,所述智能顯示玻璃裝置包括如權利要求1-6任一項所述的OLED顯示面板;
其中,所述OLED顯示面板與所述行車電腦通信連接,且所述OLED顯示面板設置于所述車輛本體的玻璃裝置上。
14.如權利要求13所述的智能顯示玻璃裝置,其特征在于,所述玻璃裝置包括至少一種下列裝置:前后擋風玻璃、外后視鏡、內后視鏡、側面車窗和天窗。
15.如權利要求13所述的智能顯示玻璃裝置,其特征在于,所述智能顯示玻璃裝置還包括:
觸摸屏,設置于所述OLED顯示面板之上;
屏幕保護膜,覆蓋所述觸摸屏之上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





