[發(fā)明專利]一種超細(xì)晶Sc2O3摻雜W基復(fù)合材料及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610164870.1 | 申請日: | 2016-03-21 |
| 公開(公告)號: | CN105803285B | 公開(公告)日: | 2017-08-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳玉程;陳泓諭;羅來馬;昝祥;朱曉勇;劉家琴 | 申請(專利權(quán))人: | 合肥工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號: | C22C27/04 | 分類號: | C22C27/04;C22C1/05 |
| 代理公司: | 安徽省合肥新安專利代理有限責(zé)任公司34101 | 代理人: | 喬恒婷 |
| 地址: | 230009 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 超細(xì)晶 sc sub 摻雜 復(fù)合材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種超細(xì)晶Sc2O3摻雜W基復(fù)合材料的制備方法,包括機(jī)械合金化球磨、還原和放電等離子燒結(jié)各單元過程,其特征在于:
所述機(jī)械合金化球磨是將WO3粉和Sc2O3粉置于球磨罐中濕磨40h,得到復(fù)合粉體前驅(qū)體,球料比為10:1,轉(zhuǎn)速為400r/min;
所述還原是將復(fù)合粉體前驅(qū)體研磨后放入管式中溫?zé)Y(jié)爐中,在H2氣氛下燒結(jié)還原,得到W/Sc2O3復(fù)合粉體;還原后所得W/Sc2O3復(fù)合粉體粒徑為150nm;
所述放電等離子燒結(jié)是將W/Sc2O3復(fù)合粉體利用放電等離子燒結(jié)工藝,在加壓、氬氣氣氛下燒結(jié),得到高致密度的超細(xì)晶Sc2O3摻雜W基復(fù)合材料;
所述超細(xì)晶Sc2O3摻雜W基復(fù)合材料中Sc2O3的體積百分比為0.5-2%,余量為W。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于:
機(jī)械合金化球磨過程中所述WO3粉粒徑為200nm,Sc2O3粉粒徑為3-15μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于:
所述復(fù)合粉體前驅(qū)體中Sc2O3粉的體積百分比為0.5-2%,余量為W。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于:
所述復(fù)合粉體前驅(qū)體的粒徑為100nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于:
還原過程中所述燒結(jié)還原的工藝參數(shù)為:以5℃/min的升溫速率升溫至900℃保溫1h,然后以5℃/min的降溫速率降至500℃后隨爐冷卻至室溫。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于:
還原過程中所述H2為純度≥99.999%的氫氣。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于:
放電等離子燒結(jié)過程中所述燒結(jié)工藝參數(shù)為:以100-120℃/min的升溫速率依次升溫至900℃保溫5min、1350℃保溫10min、1700℃保溫3min,隨后以100℃/min降至室溫。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法,其特征在于:
從開始升溫至900℃保溫結(jié)束壓強(qiáng)控制為15MPa,從900℃保溫結(jié)束至冷卻至室溫壓強(qiáng)控制為58MPa。
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