[發(fā)明專利]一種TEM樣品的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610164426.X | 申請日： | 2016-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN105699698B | 公開（公告）日： | 2018-10-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳強;孫蓓瑤 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G01Q30/20 | 分類號： | G01Q30/20 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;陳慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 tem 樣品 制備 方法 | ||
1.一種TEM樣品的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一：將待制樣的芯片樣品放入FIB設備，并選定目標區(qū)域，所述目標區(qū)域含有需分析的目標結構；
步驟二：利用離子束從目標區(qū)域處的芯片樣品表面以傾斜的角度向芯片樣品內部進行切割開口，并使切割開口從靠近目標結構處經過；
步驟三：利用FIB設備的氣體輔助系統(tǒng)，在靠近目標結構上方的芯片樣品切割開口斷面上沉積金屬保護層；
步驟四：利用離子束對芯片樣品進行切割減薄，完成TEM樣品制備。
2.根據權利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，步驟二中，離子束的傾斜角度為30-60度。
3.根據權利要求2所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述傾斜角度為50-55度。
4.根據權利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，步驟二中，在進行切割開口時，利用電子束觀測目標結構上方露出的不同層的圖形結構特征，對切割開口靠近目標結構的程度進行判斷。
5.根據權利要求1或4所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，使切割開口從靠近目標結構上方0.1-0.5微米的方位傾斜經過。
6.根據權利要求4所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，以露出目標結構上方的相鄰層圖形結構，作為切割開口靠近目標結構的程度限定。
7.根據權利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，步驟三中，利用電子束或離子束沉積金屬保護層。
8.根據權利要求1或7所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，沉積金屬保護層前，先使芯片樣品的表面與離子束的方向垂直。
9.根據權利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，步驟四中，以垂直于芯片樣品表面的方向，從目標區(qū)域的切割開口側及其相對側對芯片樣品進行切割減薄。
10.根據權利要求1、4、6或9所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，位于芯片樣品表面的所述切割開口頂部輪廓的垂直投影至少將目標結構覆蓋。
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