[發(fā)明專利]小型化高重復頻率鎖模半導體薄片激光器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610163908.3
• 申請日: 2016-03-22
• 公開（公告）號: CN105633796A
• 公開（公告）日: 2016-06-01
• 發(fā)明（設計）人: 張鵬;蔣茂華;朱仁江;范嗣強;張玉
• 申請（專利權）人: 重慶師范大學
• 主分類號: H01S5/343
• 分類號: H01S5/343;H01S5/10;H01S5/04;H01S5/065
• 代理公司: 北京海虹嘉誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11129
• 代理人: 謝殿武

1.一種小型化高重復頻率鎖模半導體薄片激光器，其特征在于：包括增益 芯片、光學諧振腔鏡組件和泵浦光源，所述光學諧振腔鏡組件位于增益芯片前 側(cè)并與增益芯片組成V型諧振腔，所述泵浦光源從后側(cè)對增益芯片進行泵浦并通 過光學諧振腔鏡組件產(chǎn)生鎖模脈沖激光。

2.根據(jù)權利要求1所述的小型化高重復頻率鎖模半導體薄片激光器，其特 征在于：所述增益芯片由前到后依次包括量子阱有源區(qū)、第一分布布喇格反射 層和第一熱沉，所述第一分布布喇格反射層為對基頻光高反而對泵浦光高透的 結(jié)構，熱沉上設置有用于泵浦光穿過的通光孔。

3.根據(jù)權利要求2所述的小型化高重復頻率鎖模半導體薄片激光器，其特 征在于：所述第一分布布喇格反射層包括依次間隔設置的低折射率層和高折射 率層，所述低折射率層由砷化鎵制備而成，所述高折射率層由砷化鎵摻雜鋁后 制備而成。

4.根據(jù)權利要求3所述的小型化高重復頻率鎖模半導體薄片激光器，其特 征在于：所述高折射率層中鋁按摩爾比占10％-20％。

5.根據(jù)權利要求1所述的小型化高重復頻率鎖模半導體薄片激光器，其特 征在于：所述光學諧振腔鏡包括后腔反射鏡和耦合輸出鏡，所述后腔反射鏡由 后向前依次包括第二分布布喇格反射層、可飽和吸收體層和基片層；所述基質(zhì) 片為由砷化鎵材料制備而成的用于壓窄基頻激光線寬的半導體片，基質(zhì)片的上、 下表面均拋光處理且相互平行，基質(zhì)片的上表面設置有對基頻激光增透的增透 膜；所述可飽和吸收體層包括兩層砷化鎵和設置于兩層砷化鎵之間的砷化鎵銦。

6.根據(jù)權利要求2所述的小型化高重復頻率鎖模半導體薄片激光器，其特 征在于：所述量子阱有源區(qū)由多個量子阱單元重疊而成，所述量子阱單元包括 兩層勢壘層和設置于兩勢壘層之間的量子阱層；所述勢壘層和量子阱層分別為 砷化鎵和砷化鎵銦。

7.根據(jù)權利要求6所述的小型化高重復頻率鎖模半導體薄片激光器，其特 征在于：所述增益芯片前側(cè)還設置有窗口層和保護層；所述窗口層為砷化鎵銦， 所述保護層為砷化鎵。

8.根據(jù)權利要求2所述的小型化高重復頻率鎖模半導體薄片激光器，其特 征在于：所述通光孔為錐形孔。