[發(fā)明專利]一種MOSFET BSIM4子電路器件模型及其建模方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610163792.3 | 申請(qǐng)日: | 2016-03-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105844006B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-11-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 彭興偉;王偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | G06F17/50 | 分類號(hào): | G06F17/50 |
| 代理公司: | 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;陳慧弘 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 mosfet bsim4 電路 器件 模型 及其 建模 方法 | ||
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