[發明專利]用于以交流電壓運行的電歐姆負載的功率控制的方法和設備

在審

• 申請號: 201610163716.2
• 申請日: 2016-03-22
• 公開（公告）號: CN106843364A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 托馬斯·克林比爾
• 申請（專利權）人: 爾高拜奧尼克有限公司
• 主分類號: G05F1/66
• 分類號: G05F1/66
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙)31218
• 代理人: 翟羽

1.一種用于以交流電壓運行的歐姆負載(7)的功率控制的方法，其特征在于，通過控制裝置(11)按照指令參量來操作晶體管(8)，以使得接通沿和斷開沿的陡度分別受限，其中

為了相位前沿控制的目的來操作所述晶體管(8)，并且在前沿角時通過中間連接的電阻(10)來接通所述晶體管(8)，其中通過設置在所述晶體管(8)的輸出端與所述晶體管(8)的控制端子之間的電容器(9)來限制所述晶體管(8)的接通沿，并且其中所述控制裝置(11)還通過所述晶體管(8)的相應控制在后續的過零點時再次斷開電流，或者其中

為了相位后沿控制的目的來操作所述晶體管(8)，并且在后沿角時通過中間連接的電阻(10)來斷開所述晶體管(8)，其中通過設置在所述晶體管(8)的輸出端與所述晶體管(8)的控制端子之間的電容器(9)來限制晶體管的斷開沿，并且其中所述控制裝置(11)還通過所述晶體管(8)的相應控制在后續的過零點時再次接通電流。

2.如前一權利要求所述的方法，其特征在于，將雙極型晶體管、具有絕緣柵極電極(IGBT)的雙極型晶體管，或者場效應晶體管、優選金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)用作晶體管(8)。

3.如前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述指令參量能夠在用戶側改變，優選無級或近似無級地改變。

4.如前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述控制裝置(11)通過如下方式促成電流的斷開：所述控制裝置(11)導致所述晶體管(8)的輸入電容的低歐姆并且由此快速的放電。

5.如前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，所述控制裝置(11)通過附加設置的另一個晶體管(12)的相應控制來導致所述晶體管(8)的輸入電容的放電。

6.如前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，將雙極型晶體管、優選具有絕緣柵極電極(IGBT)的雙極型晶體管、或者場效應晶體管、優選金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)用作所述另一個晶體管(12)。

7.如前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，將至少一個電加熱元件(16，17)用作歐姆負載(7)。

8.如前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，將多個電加熱元件(16，17)用作歐姆負載(7)，其中首先運行一個電加熱元件(16)并且能夠在用戶側通過相應的開關(18)來再接通至少另一個電加熱元件(17)。

9.如權利要求7或8所述的方法，其特征在于，用至少一個電加熱元件(16，17)來控制電加熱裝置或者電熱空氣鼓風機(19)的功率。

10.如前述權利要求中任一項所述的方法，其特征在于，無級地或者以許多小步長來控制功率。

11.一種用于以交流電壓運行的歐姆負載(7)的功率控制的設備，其特征在于，所述設備具有整流器、晶體管(8)以及控制裝置(11)，其中所述控制裝置(11)通過中間連接的電阻(10)與所述晶體管(8)的控制端子連接，其中所述控制裝置(11)被構造成按照指令參量以接通沿的受限制的陡度和斷開沿的受限制的陡度來操作所述晶體管(8)，其中在所述晶體管(8)的輸出端與所述晶體管(8)的控制端子之間設置電容器(9)，并且所述控制裝置(11)被構造成：

在相位前沿控制的過程中按照指令參量通過在前沿角時接通并且在后續的過零點時斷開的方式操作所述晶體管(8)，

或者在相位后沿控制的過程中按照指令參量通過在前沿角時斷開并且在后續的過零點時接通的方式操作所述晶體管(8)，

以及所述設備尤其被構造成用于執行根據前述權利要求中任一項所述的方法。

12.如前一權利要求所述的設備，其特征在于，所述晶體管(8)被構造為雙極型晶體管、具有絕緣柵極電極(IGBT)的雙極型晶體管，或者場效應晶體管、優選金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。

13.如權利要求11或12所述的設備，其特征在于，所述指令參量能夠在用戶側改變，優選無級或近似無級地改變。

14.如權利要求11到13中任一項所述的設備，其特征在于，所述控制裝置(11)通過如下方式促成電流的斷開：所述控制裝置(11)導致所述晶體管(8)的輸入電容的低歐姆并且由此快速的放電。