[發(fā)明專利]一種抗PID的氮化硅減反射膜及其制備方法與應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610162615.3
• 申請日: 2016-03-21
• 公開（公告）號: CN105826402B
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 班群;段春艷
• 申請（專利權(quán)）人: 佛山職業(yè)技術(shù)學(xué)院
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44268
• 代理人: 王永文,劉文求

1.一種抗PID的氮化硅減反射膜，其特征在于，所述氮化硅減反射膜由沉積于硅片上的內(nèi)、外兩層氮化硅減反射膜組成，其中，內(nèi)層氮化硅減反射膜的折射率為2.0，外層氮化硅減反射膜的折射率為2.2；

內(nèi)層氮化硅減反射膜的厚度為20.5nm，外層氮化硅減反射膜的厚度為61.5nm；

通過改變氮化硅減反射膜的折射率和厚度，提高氮化硅減反射膜的抗PID作用;

所述氮化硅減反射膜的折射率通過控制氮化硅減反射膜的晶化度來實現(xiàn)。

2.一種如權(quán)利要求1所述的抗PID的氮化硅減反射膜的制備方法，其特征在于，采用PECVD化學(xué)氣相沉積技術(shù)，使用Centrotherm PECVD設(shè)備，通過調(diào)節(jié)Centrotherm PECVD設(shè)備的氣體流量、溫度、功率參數(shù)，在硅片上依次獲得相應(yīng)折射率的內(nèi)、外層氮化硅減反射膜；

調(diào)節(jié)Centrotherm PECVD設(shè)備的SiH₄流量為400sccm，NH₃流量為5slm，溫度為450℃，功率源功率為2800W，功率源頻率為12.5kHz。

3.一種抗PID的氮化硅減反射膜的應(yīng)用，其特征在于，將如權(quán)利要求1所述的抗PID的氮化硅減反射膜應(yīng)用于多晶硅太陽電池中。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的抗PID的氮化硅減反射膜的應(yīng)用，其特征在于，將所述多晶硅太陽電池進行封裝，制成組件。