[發明專利]用于制造微納米級金屬粉末的高溫蒸發器

有效

• 申請號: 201610162116.4
• 申請日: 2016-03-21
• 公開（公告）號: CN105598460B
• 公開（公告）日: 2018-03-06
• 發明（設計）人: 江永斌;江科言
• 申請（專利權）人: 臺州市金博超導納米材料科技有限公司
• 主分類號: B22F9/12
• 分類號: B22F9/12;B22F1/00;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 臺州藍天知識產權代理有限公司33229
• 代理人: 苑新民

1.用于制造微納米級金屬粉末的高溫蒸發器,其特征在于：包括上端有開口的主體及蓋在主體上端開口上的中部向上凹的上蓋，上蓋上設置有排氣孔、居中設置的等離子噴槍及間隔設置的三個以上的內通道或凹槽，每個內通道或凹槽的進氣口開口于上蓋下端面、出氣口開口于上蓋內表面，出氣口低于排氣孔，等離子噴槍的噴口下端面與主體的上端面齊平或伸至主體上端面之下的主體內，主體的底壁上居中設置有下開口，下開口的下側用石墨塊封堵，主體的側壁上周向間隔設置有由下至上貫通的且與內通道或凹槽的下端進氣口一一對接的進氣通孔；

所述的內通道或凹槽周向分布在上蓋一側90～180度的扇形區域內；

所有進氣通孔下端進氣口的截面積之和與所有內通道或凹槽的出氣口截面積之和之比為1:3～10，所有進氣通孔下端進氣口的截面積之和與排氣孔的截面積之比為1:2～5。

2.根據權利要求1所述的用于制造微納米級金屬粉末的高溫蒸發器，其特征在于：所述上蓋內腔高度與主體上端開口的內徑之比為1:1～5，主體高度與上蓋內腔高度之比為1:0.3～2。

3.根據權利要求1所述的用于制造微納米級金屬粉末的高溫蒸發器，其特征在于：所述的主體由內層的耐高溫層、中間的承托層、外層的保護層制成，所述的耐高溫層使用與上蓋同質的氧化鋁或氧化鎂或氧化鋯類氧化物陶瓷材料或石墨材料制成，所述的承托層用氧化鋁或氧化鎂或氧化鋯材料填充，所述的保護層用高溫下不變形的石墨類材料制成，所述的進氣通孔設置在保護層總厚度的偏外側豎直設置。

4.根據權利要求1所述的用于制造微納米級金屬粉末的高溫蒸發器，其特征在于：所述的內通道或凹槽的高度為10～40mm，所述的排氣孔設置在扇形區域對側的上蓋上。

5.根據權利要求1所述的用于制造微納米級金屬粉末的高溫蒸發器，其特征在于：所述的等離子噴槍伸至主體上端面之下的主體內時，等離子噴槍的噴口下端面與主體的上端面之間的距離為0～50mm。

6.根據權利要求1所述的用于制造微納米級金屬粉末的高溫蒸發器，其特征在于：所述的上蓋上設置有加料口，加料口上設置有連續加料結構，所述連續加料結構包括加料斗，加料斗底部的出料口與加料口之間通過導管連接，所述的導管上至少間隔設置有兩個手動或電動開關。

7.根據權利要求1所述的用于制造微納米級金屬粉末的高溫蒸發器，其特征在于：所述等離子噴槍的外表面與安裝等離子噴槍的上蓋上的通孔內表面之間設置有1～25mm的通氣間隙。

8.根據權利要求1—7任一項所述的用于制造微納米級金屬粉末的高溫蒸發器，其特征在于：所述等離子噴槍通過導線與直流電源的負極或正極連接，所述的石墨塊通過導線與直流電源的正極或負極連接，石墨塊、直流電源、等離子噴槍、等離子噴槍產生的等離子體轉移弧、主體內的金屬或/和金屬液體、石墨塊構成通電回路。