[發(fā)明專利]一種振膜和振膜的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610160789.6 | 申請(qǐng)日: | 2016-03-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105611463B | 公開(公告)日: | 2019-11-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙國棟;汲鵬程;楊鑫峰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 歌爾股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H04R7/06 | 分類號(hào): | H04R7/06;H04R31/00 |
| 代理公司: | 11442 北京博雅睿泉專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人: | 王昭智;馬佑平<國際申請(qǐng)>=<國際公布> |
| 地址: | 261031山東省濰*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 制造 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種振膜和振膜的制造方法,其中前者包括環(huán)狀支撐件、第一振膜層和電路層,環(huán)狀支撐件包括支撐主體和內(nèi)孔,第一振膜層與支撐主體固定連接,電路層位于第一振膜層鄰近振動(dòng)音圈的表面上、并與第一振膜層和支撐主體固定連接,電路層上設(shè)有電路區(qū)、電容區(qū)和電容焊盤,其中,電路區(qū)與電容區(qū)和電容焊盤相連,電容焊盤與支撐主體相對(duì)應(yīng)。本發(fā)明的電容區(qū)設(shè)在電路層上,即電容器的下極板直接設(shè)在電路層上,同時(shí)環(huán)狀支撐件對(duì)第一振膜層和電路層起到支撐的效果,且電容焊盤與支撐主體相對(duì)應(yīng),這樣,與電容焊盤相連接的采集電容數(shù)據(jù)的引線不會(huì)隨著振膜一起振動(dòng),從而采集電容數(shù)據(jù)的引線不會(huì)因振動(dòng)而斷裂,保證了電容數(shù)據(jù)采集的可靠性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電聲產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域,更具體地,涉及一種振膜,以及用于該振膜的制造方法。
背景技術(shù)
揚(yáng)聲器作為一種用于手機(jī)、電視、計(jì)算機(jī)等電子產(chǎn)品的發(fā)聲器件,被廣泛應(yīng)用于人們的日常生產(chǎn)和生活中。目前常見的揚(yáng)聲器主要有動(dòng)圈式揚(yáng)聲器、電磁式揚(yáng)聲器、電容式揚(yáng)聲器、壓電式揚(yáng)聲器等,其中的動(dòng)圈式揚(yáng)聲器因具有制作相對(duì)簡(jiǎn)單、成本低廉、有較好的低頻發(fā)聲優(yōu)勢(shì)等特點(diǎn)。
現(xiàn)有的動(dòng)圈式揚(yáng)聲器又稱為動(dòng)圈式揚(yáng)聲器模組,其通常包括揚(yáng)聲器模組殼體和揚(yáng)聲器單體,其中揚(yáng)聲器模組殼體的典型結(jié)構(gòu)包括上殼和下殼,上殼和下殼裝配在一起形成了用于收容揚(yáng)聲器單體的腔體;揚(yáng)聲器單體的典型結(jié)構(gòu)包括振動(dòng)系統(tǒng)、磁路系統(tǒng)及輔助系統(tǒng),上述輔助系統(tǒng)包括可收容振動(dòng)系統(tǒng)和磁路系統(tǒng)的外殼,上述振動(dòng)系統(tǒng)包括振膜和固定于振膜一側(cè)的振動(dòng)音圈,振膜又包括振膜本體及固定于振膜本體中心位置的DOME(球頂部),振膜本體包括與外殼固定的固定部、與固定部一體設(shè)置的凹或凸結(jié)構(gòu)的折環(huán)部及位于折環(huán)部?jī)?nèi)的平面部;上述磁路系統(tǒng)包括盆架、固定在盆架上的磁鐵和華司;上述輔助系統(tǒng)包括外殼。
隨著人們對(duì)動(dòng)圈式揚(yáng)聲器的聲學(xué)性能要求的提高,使用電容反饋揚(yáng)聲器單體的振膜的振動(dòng)位移技術(shù)得到了更加廣泛的應(yīng)用,具體地,電容反饋振膜振動(dòng)位移技術(shù)需要在揚(yáng)聲器模組殼體的上殼上注塑一鋼片作為電容器的上極板,在振膜的DOME上設(shè)置另一鋼片作為電容器的下極板,上述“上”“下”的限定僅用于區(qū)分兩極板間的相對(duì)位置關(guān)系,而不代表兩極板在揚(yáng)聲器單體中的最終位置關(guān)系;當(dāng)動(dòng)圈式揚(yáng)聲器工作時(shí),電容器的電容發(fā)生變化,通過電容器的電容變化來反饋振膜的振動(dòng)位移,從而實(shí)現(xiàn)通過對(duì)揚(yáng)聲器單體的振膜的振動(dòng)位移的監(jiān)控來提高揚(yáng)聲器聲學(xué)性能的目的。
由于設(shè)置在DOME上的電容器的下極板需要引線引出以采集極板的電容數(shù)據(jù),而DOME與振膜一起振動(dòng)時(shí)電容器的下極板也一起振動(dòng),這將使得電容器的下極板上的引線容易因振動(dòng)而斷裂,導(dǎo)致電容數(shù)據(jù)無法采集而無法對(duì)振膜的振動(dòng)位移進(jìn)行監(jiān)控,采集電容數(shù)據(jù)的可靠性低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種振膜,該振膜在滿足采集電容數(shù)據(jù)的要求的前提下,可保證采集電容數(shù)據(jù)的可靠性。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面,提供了一種振膜,包括環(huán)狀支撐件、第一振膜層和電路層,所述環(huán)狀支撐件包括支撐主體和內(nèi)孔,所述第一振膜層與所述支撐主體固定連接,所述電路層位于所述第一振膜層鄰近振動(dòng)音圈的表面上、并與所述第一振膜層和所述支撐主體固定連接,所述電路層上設(shè)有電路區(qū)、電容區(qū)和電容焊盤,其中,所述電路區(qū)與所述電容區(qū)和所述電容焊盤相連,所述電容焊盤與所述支撐主體相對(duì)應(yīng)。
優(yōu)選地,所述支撐主體遠(yuǎn)離所述振動(dòng)音圈的端面上設(shè)有支撐主體下凹部,所述第一振膜層與所述支撐主體下凹部以及所述內(nèi)孔的內(nèi)壁固定連接。
更優(yōu)選地,所述支撐主體下凹部上設(shè)有用于增強(qiáng)所述第一振膜層與所述支撐主體之間的結(jié)合力的凹槽。
優(yōu)選地,所述電路層包括電路層連接部和電路層主體部,所述電路層連接部與所述支撐主體鄰近所述振動(dòng)音圈的端面固定連接,所述電容焊盤位于所述電路層連接部上,所述電路層主體部與所述第一振膜層固定連接。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于歌爾股份有限公司,未經(jīng)歌爾股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610160789.6/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 氫燃料制造系統(tǒng)、氫燃料制造方法以及氫燃料制造程序
- 單元控制系統(tǒng)、生產(chǎn)系統(tǒng)以及控制方法
- 制造裝置及制造方法以及制造系統(tǒng)
- 一種三相異步電動(dòng)機(jī)制造工藝方法
- 制造設(shè)備、制造裝置和制造方法
- 用于監(jiān)測(cè)光學(xué)鏡片制造過程的方法
- 產(chǎn)品的制造系統(tǒng)、惡意軟件檢測(cè)系統(tǒng)、產(chǎn)品的制造方法以及惡意軟件檢測(cè)方法
- 一種面向制造服務(wù)的制造能力評(píng)估方法
- 一種基于云制造資源的制造能力建模方法
- 制造設(shè)備系統(tǒng)、制造設(shè)備以及制造方法
- 一種數(shù)據(jù)庫讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





