[發(fā)明專利]氮化鎵材料層表面粗化的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610159628.5 | 申請日： | 2016-03-21 |
| 公開（公告）號： | CN105826442A | 公開（公告）日： | 2016-08-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 曾國濤 | 申請（專利權(quán)）人： | 佛山市國星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/22 | 分類號： | H01L33/22;H01L33/00;H01L21/306;H01L21/268 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 528226 廣東省佛山市南海區(qū)獅*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化 材料 表面 方法 | ||
【說明書】：
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