[發明專利]一種GaN HEMT器件制作方法在審
| 申請號： | 201610158915.4 | 申請日： | 2016-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN105590851A | 公開（公告）日： | 2016-05-18 |
| 發明（設計）人： | 陳一峰 | 申請（專利權）人： | 成都海威華芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/335 | 分類號： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/20;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gan hemt 器件 制作方法 | ||
1.一種GaNHEMT器件制作方法，提供襯底，其特征在于，包括以下步 驟：
S1、在所述襯底上沉積一層VLS生長用的催化劑；
S2、在所述催化劑上形成周期性的壓印膠；
S3、按照所述壓印膠的分布刻蝕所述催化劑，形成周期性的圖形化的催化 劑；
S4、采用VLS生長機理，在圖形化的催化劑上生長GaN納米柱；
S5、去除所述圖形化的催化劑，形成圖形化襯底；
S6、在所述圖形化襯底上生長外延層，在所述外延層上完成源極、漏極、 柵極的制作。
2.根據權利要求1所述的GaNHEMT器件制作方法，其特征在于，所述 襯底的材料為Si、SiC、藍寶石或金剛石。
3.根據權利要求1所述的GaNHEMT器件制作方法，其特征在于，所述 步驟S2利用納米壓印技術，在所述催化劑上形成周期性的壓印膠。
4.根據權利要求1所述的GaNHEMT器件制作方法，其特征在于，所述 步驟S4具體為：采用VLS生長機理，以Ga源和N源有機氣體作為反應氣體， 以H2氣或Ar氣作為載氣，在所述圖形化的催化劑上生長GaN納米柱。
5.根據權利要求1所述的GaNHEMT器件制作方法，其特征在于，所述 步驟S5采用刻蝕技術去除所述圖形化的催化劑。
6.根據權利要求1所述的GaNHEMT器件制作方法，其特征在于，所述 催化劑的材料為Al、Ni或Au。
7.根據權利要求6所述的GaNHEMT器件制作方法，其特征在于，所述 催化劑的厚度為50～100nm。
8.根據權利要求1所述的GaNHEMT器件制作方法，其特征在于，所述 步驟S6具體為在所述圖形化襯底上依次生長GaN過渡層和AlxGa1-xN勢壘層， 在所述AlxGa1-xN勢壘層上完成源極、漏極、柵極的制作，且源級和漏極為歐姆 接觸，柵極為肖特基接觸。
9.根據權利要求8所述的GaNHEMT器件制作方法，其特征在于，所述 AlxGa1-xN勢壘層中Al組分x＝0.1～0.3。
10.根據權利要求1所述的GaNHEMT器件制作方法，其特征在于，所述 步驟S5中圖形化襯底的寬度和間隔距離均小于100nm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
