[發明專利]MEMS結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201610158466.3
• 申請日: 2016-03-18
• 公開（公告）號: CN107205203B
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 萬蔡辛;朱佳輝
• 申請（專利權）人: 共達電聲股份有限公司
• 主分類號: H04R19/00
• 分類號: H04R19/00;H04R31/00
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;張靖琳

1.一種MEMS結構，其特征在于，包括：

襯底；

振膜層，所述振膜層位于所述襯底上方，與外部連通以接收聲音信號；

背極板，所述背極板位于所述振膜層上，并且與所述振膜層彼此相對，以形成電容極板；

第二焊盤，位于所述背極板上；

互連部件，連接所述振膜層；以及

第一焊盤，位于所述互連部件上，所述互連部件使得所述第一焊盤與所述第二焊盤的高度差小于10微米，

其中，所述互連部件和所述背極板由第一導體層圖案化形成且彼此隔開，所述互連部件懸掛所述振膜層并且包括彈性結構，根據所述振膜層的約束點設置所述互連部件與所述振膜層的連接位置。

2.根據權利要求1所述的MEMS結構，其特征在于，所述互連部件的至少部分結構以面接觸的方式與所述振膜層連接。

3.根據權利要求2所述的MEMS結構，其特征在于，所述互連部件包括：

第一部分，所述第一焊盤位于所述第一部分上；

第二部分，與所述振膜層以面接觸的方式連接；

第三部分，連接所述第一部分和所述第二部分。

4.根據權利要求3所述的MEMS結構，其特征在于，所述第一部分與所述第三部分呈一定角度設置；

所述第二部分與所述第三部分呈一定角度設置。

5.根據權利要求3或4所述的MEMS結構，其特征在于，還包括：

位于所述振膜層和所述背極板之間的支撐層，

其中，所述互連部件的第一部分至少部分地在所述支撐層上橫向延伸，使得所述振膜層懸掛在所述互連部件的第二部分下方。

6.根據權利要求5所述的MEMS結構，其特征在于，所述振膜層的周邊部分夾在所述襯底和所述支撐層之間。

7.根據權利要求5所述的MEMS結構，其特征在于，所述背極板的周邊具有與所述互連部件相對應的開口，所述互連部件在所述開口內接觸所述支撐層。

8.根據權利要求3所述的MEMS結構，其特征在于，所述互連部件的第一部分的至少一部分包括所述彈性結構。

9.一種制造MEMS結構的方法，包括：

在襯底上形成振膜層；

在振膜層上形成支撐層；

在支撐層中形成第一開口；

在支撐層上形成第一導體層，第一導體層填充所述第一開口；

將第一導體層圖案化形成互連部件和背極板；以及

在所述互連部件和所述背極板上分別形成第一焊盤和第二焊盤，

其中，所述互連部件和所述背極板彼此隔開，所述互連部件懸掛所述振膜層，并且所述互連部件包括在所述支撐層上橫向延伸的第一部分、與所述振膜層以面接觸方式連接的第二部分以及連接所述第一部分和所述第二部分的第三部分，所述互連部件的第一部分的至少一部分包括彈性結構。