[發(fā)明專利]一種衛(wèi)星高頻頭電路及衛(wèi)星高頻頭有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610158226.3 | 申請(qǐng)日： | 2016-03-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105657300B | 公開（公告）日： | 2019-05-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張佳升 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 珠海邁科智能科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H04N5/50 | 分類號(hào)： | H04N5/50;H04N7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 羅滿 |
| 地址： | 519000 廣東省珠*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 衛(wèi)星 高頻頭 電路 | ||
1.一種衛(wèi)星高頻頭電路，包括水平信號(hào)電路和垂直信號(hào)電路，其特征在于，所述水平信號(hào)電路通過用于將需要屏蔽的頻段濾除的第一帶通濾波器與衛(wèi)星接收機(jī)連接，和/或所述垂直信號(hào)電路通過用于將需要屏蔽的頻段濾除的第二帶通濾波器與所述衛(wèi)星接收機(jī)連接，所述水平信號(hào)電路包括用于將饋源的水平高頻信號(hào)放大的第一高頻放大器，與所述第一高頻放大器連接的第一鏡像頻率抑制濾波器，與所述第一鏡像頻率抑制濾波器連接的第一本振混頻器，與所述第一本振混頻器連接的第一中頻放大器；
所述垂直信號(hào)電路包括用于將饋源的垂直高頻信號(hào)放大的第二高頻放大器，與所述第二高頻放大器連接的第二鏡像頻率抑制濾波器，與所述第二鏡像頻率抑制濾波器連接的第二本振混頻器，與所述第二本振混頻器連接的第二中頻放大器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的衛(wèi)星高頻頭電路，其特征在于，所述水平信號(hào)電路通過第一帶通濾波器與所述衛(wèi)星接收機(jī)連接，所述垂直信號(hào)電路通過第二帶通濾波器與所述衛(wèi)星接收機(jī)連接，且所述第一帶通濾波器和所述第二帶通濾波器均通過第一功率合并器與所述衛(wèi)星接收機(jī)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的衛(wèi)星高頻頭電路，其特征在于，還包括末級(jí)中頻放大器，所述第一功率合并器通過所述末級(jí)中頻放大器與所述衛(wèi)星接收機(jī)連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的衛(wèi)星高頻頭電路，其特征在于，所述第一本振混頻器的本振頻率為5150MHz，所述第二本振混頻器的本振頻率為5750MHz。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的衛(wèi)星高頻頭電路，其特征在于，所述水平信號(hào)電路包括通過第二功率合并器將信號(hào)進(jìn)行功率分配分為的第一水平信號(hào)電路和第二水平信號(hào)電路，所述第一水平信號(hào)電路通過第一帶通濾波器與所述衛(wèi)星接收機(jī)連接，所述第二水平信號(hào)電路通過第三帶通濾波器與所述衛(wèi)星接收機(jī)連接；和/或，
所述垂直信號(hào)電路包括通過第三功率合并器將信號(hào)進(jìn)行功率分配分為的第一垂直信號(hào)電路和第二垂直信號(hào)電路，所述第一垂直信號(hào)電路通過第二帶通濾波器與所述衛(wèi)星接收機(jī)連接，所述第二垂直信號(hào)電路通過第四帶通濾波器與所述衛(wèi)星接收機(jī)連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的衛(wèi)星高頻頭電路，其特征在于，所述水平信號(hào)電路包括第一水平信號(hào)電路和第二水平信號(hào)電路；
所述第一水平信號(hào)電路包括用于將饋源的水平高頻信號(hào)放大的第一高頻放大器，與所述第一高頻放大器連接的第二功率合并器，與所述第二功率合并器連接的第一鏡像頻率抑制濾波器，與所述第一鏡像頻率抑制濾波器連接的第一本振混頻器，與所述第一本振混頻器連接的第一中頻放大器；
所述第二水平信號(hào)電路包括所述第一高頻放大器，與所述第一高頻放大器連接的所述第二功率合并器，與所述第二功率合并器連接的第三鏡像頻率抑制濾波器，與所述第三鏡像頻率抑制濾波器連接的第三本振混頻器，與所述第三本振混頻器連接的第三中頻放大器。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的衛(wèi)星高頻頭電路，其特征在于，所述第一高頻放大器包括相連的一級(jí)第一高頻放大器和二級(jí)第一高頻放大器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的衛(wèi)星高頻頭電路，其特征在于，所述第二高頻放大器包括相連的一級(jí)第二高頻放大器和二級(jí)第二高頻放大器。
9.一種衛(wèi)星高頻頭，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的衛(wèi)星高頻頭電路。
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