[發(fā)明專利]利用薄膜沉積制備納米柱形結(jié)構(gòu)氧化銦的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610158183.9 | 申請(qǐng)日: | 2016-03-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105568221A | 公開(公告)日: | 2016-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王燁 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 王燁 |
| 主分類號(hào): | C23C14/08 | 分類號(hào): | C23C14/08;C23C14/34;C23C14/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 300170 天*** | 國(guó)省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 利用 薄膜 沉積 制備 納米 結(jié)構(gòu) 氧化 方法 | ||
1.利用薄膜沉積制備納米柱形結(jié)構(gòu)氧化銦的方法,其特征在于:包括以下步驟:
用純度為99.99%的銦或氧化銦,制成直徑1英寸、厚度0.25英寸的靶;用單晶或玻璃作 為襯底,襯底超聲波清洗后,在清潔溶劑中清洗20分鐘,再用去離子水沖洗,最后用氮?dú)飧? 燥;
靶和襯底放入到脈沖激光沉積設(shè)備的真空腔內(nèi);真空腔的初始?jí)毫?×10-6托,濺射 過程中設(shè)置氧氣壓力在5毫托~50托,溫度在室溫~900℃,激光能量為1~10毫焦每平方厘米, 靶到襯底距離為10~80厘米。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用薄膜沉積制備納米柱形結(jié)構(gòu)氧化銦的方法,其特征在于: 濺射前,先進(jìn)行預(yù)濺射,去除靶的表層物質(zhì)確保在正式濺射時(shí)的均勻性;
濺射時(shí),先濺射催化金屬靶,然后再濺射銦或氧化銦靶;濺射完畢后,在氮?dú)庵羞M(jìn)行冷 卻到室溫取出。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用薄膜沉積制備納米柱形結(jié)構(gòu)氧化銦的方法,其特征在于: 所述的清潔溶劑為丙酮、酒精、異丙醇。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的利用薄膜沉積制備納米柱形結(jié)構(gòu)氧化銦的方法,其特征在于: 所述的催化金屬靶為金、銀、鉑、鈀金屬制成。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





