[發明專利]一種模擬量電流輸入采集系統有效
| 申請號: | 201610157700.0 | 申請日: | 2016-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN105717342B | 公開(公告)日: | 2018-10-16 |
| 發明(設計)人: | 徐文卿;解群眺;陳宇 | 申請(專利權)人: | 浙江中控技術股份有限公司 |
| 主分類號: | G01R19/00 | 分類號: | G01R19/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 310053 浙江省杭州市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 模擬 電流 輸入 采集 系統 | ||
1.一種模擬量電流輸入采集系統,其特征在于,包括:第一電流源、第二電流源、第一電阻和第二電阻;其中:
所述第一電流源的控制端為所述模擬量電流輸入采集系統的第一控制輸入接口;
所述第二電流源的控制端為所述模擬量電流輸入采集系統的第二控制輸入接口;
所述第一電流源的第一端與所述第一電阻的一端相連,連接點為所述模擬量電流輸入采集系統的第一采集接口;
所述第一電阻的另一端與電源相連;
所述第一電流源的第二端與所述第二電流源的第一端相連,連接點為所述模擬量電流輸入采集系統的變送器正極接口;
所述第二電流源的第二端與所述第二電阻的一端相連,連接點為所述模擬量電流輸入采集系統的第二采集接口;
所述第二電阻的另一端為所述模擬量電流輸入采集系統的變送器負極接口,并接地;
在所述變送器正極接口和所述變送器負極接口與非配電變送器相連時,所述第一電流源用于通過其控制端接收第一給定限流電壓值并導通,通過其第一端輸出第一采樣信號;所述第二電流源用于通過其控制端接收第一給定增量電壓值并導通;所述第二電流源的導通使得所述第一采樣信號產生增量,若該增量等于所述第一給定增量電壓值輸入到所述第二電流源后所產生的理論增量,則說明所述模擬量電流輸入采集系統的模擬量電流輸入無偏差;
在所述變送器正極接口和所述變送器負極接口與配電變送器相連時,所述第二電流源用于通過其控制端接收第二給定限流電壓值并導通,通過其第二端輸出第二采樣信號;所述第一電流源用于通過其控制端接收第二給定增量電壓值并導通;所述第一電流源的導通使得所述第二采樣信號產生增量,若該增量等于所述第二給定增量電壓值輸入到所述第一電流源后所產生的理論增量,則說明所述模擬量電流輸入采集系統的模擬量電流輸入無偏差。
2.根據權利要求1所述的模擬量電流輸入采集系統,其特征在于,所述第一電流源包括:第一運算放大器和PMOS晶體管;其中:
所述第一運算放大器的同相輸入端為所述第一電流源的控制端;
所述第一運算放大器的反相輸入端與所述PMOS晶體管的源極相連,連接點為所述第一電流源的第一端;
所述第一運算放大器的輸出端與所述PMOS晶體管的柵極相連;
所述PMOS晶體管的漏極為所述第一電流源的第二端。
3.根據權利要求2所述的模擬量電流輸入采集系統,其特征在于,所述第二電流源包括:第二運算放大器和NMOS晶體管;其中:
所述第二運算放大器的同相輸入端為所述第二電流源的控制端;
所述第二運算放大器的反相輸入端與所述NMOS晶體管的源極相連,連接點為所述第二電流源的第二端;
所述第二運算放大器的輸出端與所述NMOS晶體管的柵極相連;
所述NMOS晶體管的漏極為所述第二電流源的第一端。
4.根據權利要求1所述的模擬量電流輸入采集系統,其特征在于,所述第一給定限流電壓值、所述第一給定增量電壓值、所述第二給定限流電壓值和所述第二給定增量電壓值均為數模轉換芯片輸出。
5.根據權利要求1至4任一所述的模擬量電流輸入采集系統,其特征在于,所述第一給定限流電壓值滿足:V1≤VCC-I×R1,其中,V1為所述第一給定限流電壓值,VCC為所述電源電壓,I為所述模擬量電流輸入采集系統的最大允許電流值,R1為所述第一電阻的阻值。
6.根據權利要求5所述的模擬量電流輸入采集系統,其特征在于,所述第一給定增量電壓值為零。
7.根據權利要求1至4任一所述的模擬量電流輸入采集系統,其特征在于,所述第二給定限流電壓值滿足:V2≥I×R2,其中,V2為所述第二給定限流電壓值,I為所述模擬量電流輸入采集系統的最大允許電流值,R2為所述第二電阻的阻值。
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