[發(fā)明專利]一種LED芯片電極及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610156747.5 | 申請日： | 2016-03-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105591003A | 公開（公告）日： | 2016-05-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李慶;劉撰;陳立人 | 申請（專利權(quán)）人： | 聚燦光電科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/40 | 分類號(hào)： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 楊林潔 |
| 地址： | 215123 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 led 芯片 電極 及其 制造 方法 | ||
1.一種LED芯片電極，其特征在于，所述電極包括第一金屬粘附層、設(shè)于第一金屬粘附 層上的第二金屬粘附層、設(shè)于第二金屬粘附層上的金屬保護(hù)層、以及設(shè)于金屬保護(hù)層上的 金屬打線層，所述第二金屬粘附層的材料為金屬Cr，金屬保護(hù)層的材料為金屬Ti，第二金屬 粘附層和金屬保護(hù)層熔合形成Cr-Ti接觸電阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片電極，其特征在于，所述第二金屬粘附層的厚度為50- 500?，金屬保護(hù)層的厚度為1000-3000?。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片電極，其特征在于，所述第一金屬粘附層的材料為Cr 或Ni，厚度為5-150?。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片電極，其特征在于，所述打線層的材料為Au或Al，厚度 為10000-20000?。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片電極，其特征在于，所述第一粘附層和第二金屬粘附 層之間還設(shè)有金屬反射層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED芯片電極，其特征在于，所述金屬反射層的材料為Al，厚度 為1000-3000?。
7.一種LED芯片電極的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
采用物理氣相沉積法依次沉積第一金屬粘附層、第二金屬粘附層、金屬保護(hù)層、以及金 屬打線層，其中，第二金屬粘附層和金屬保護(hù)層分別采用Cr靶和Cr靶進(jìn)行沉積；
對第一金屬粘附層、第二金屬粘附層、金屬保護(hù)層、以及金屬打線層進(jìn)行熔合工藝，使 第二金屬粘附層和金屬保護(hù)層形成Cr-Ti接觸電阻。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述熔合工藝具體為：
在200-250℃溫度下、氮?dú)猸h(huán)境中，熔合5-30分鐘。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第二金屬粘附層的厚度為50-500 ?，金屬保護(hù)層的厚度為1000-3000?。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：
在第一金屬粘附層上沉積金屬反射層。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于聚燦光電科技股份有限公司，未經(jīng)聚燦光電科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610156747.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
