[發明專利]一種發光二極管芯片及其制作方法

在審

• 申請號: 201610156448.1
• 申請日: 2016-03-18
• 公開（公告）號: CN105742418A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 劉源;王江波
• 申請（專利權）人: 華燦光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/38
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管芯片，所述發光二極管芯片包括依次層疊在襯底上的N型層、發光層、P型層，所述P型層上設有從所述P型層延伸至所述N型層的凹槽，P型電極設置在所述P型層上，N型電極設置在所述N型層上，其特征在于，所述P型電極包括焊盤和均勻分布在所述P型層的整個表面的多條電極線，所述電極線之間、以及所述電極線和所述焊盤之間相互連接。

2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述多條電極線包括相互連接的第一電極線和第二電極線，多條所述第一電極線依次首尾相接圍成一個多邊形，多條所述第二電極線均勻分布在所述多邊形內，且多條所述第二電極線之間相互平行。

3.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述多條電極線包括相互連接的第一電極線、第二電極線、以及第三電極線，多條所述第一電極線依次首尾相接圍成一個多邊形，多條所述第二電極線和多條所述第三電極線均勻分布在所述多邊形內，多條所述第二電極線之間相互平行，多條所述第三電極線之間相互平行，且所述第二電極線和所述第三電極線垂直。

4.根據權利要求2或3所述發光二極管芯片，其特征在于，相鄰兩條所述第二電極線的間距為5～30微米。

5.根據權利要求1-3任一項所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述電極線的寬度為1～10微米。

6.根據權利要求1-3任一項所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述焊盤和所述電極線均包括依次層疊在所述P型層上的接觸層和焊接層，所述接觸層包括多層結構相同的接觸子層，每層所述接觸子層均包括至少兩種不同的金屬層。

7.根據權利要求6所述的發光二極管芯片，其特征在于，每層所述接觸子層均包括Cr層、Ni層、Ti層中的至少兩層金屬層。

8.根據權利要求6所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述接觸子層的層數為2～5層。

9.根據權利要求6所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述金屬層的厚度為1～5埃。

10.一種發光二極管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在襯底上依次生長N型層、發光層、P型層；

采用光刻工藝在所述P型層上設置從所述P型層延伸至所述N型層的凹槽；

采用光刻工藝在所述P型層上設置P型電極，在所述N型層上設置N型電極，所述P型電極包括焊盤和均勻分布在所述P型層的整個表面的多條電極線，所述電極線之間、以及所述電極線和所述焊盤之間相互連接。