[發(fā)明專利]一種石墨烯薄膜晶體管的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610156131.8
• 申請日: 2016-03-18
• 公開（公告）號: CN105679678A
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王選蕓
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L29/16
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種石墨烯薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

S1、在銅箔表面沉積石墨烯層；

S2、在所述石墨烯層表面沉積金屬層；

S3、在所述金屬層表面貼合支撐層，從而形成石墨烯膜片；

S4、將所述石墨烯膜片放置在銅腐蝕液中，其中所述支撐層部分沉浸在銅 腐蝕液中，而所述金屬層、石墨烯層和銅箔完全沉浸在銅腐蝕液中，直至所述 銅箔完全溶解掉，再將去掉銅箔的石墨烯膜片轉(zhuǎn)移至目標襯底，去掉所述支撐 層；

S5、在所述金屬層表面上定義源漏極圖形，制備源漏極電極，并在目標襯 底上遠離石墨烯層的一側(cè)制備柵極電極，從而獲得石墨烯薄膜晶體管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在 S1之前，還包括：將所述銅箔依次在乙醇、丙酮、0.5mol/L的稀鹽酸中進行清 洗。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所 述石墨烯采用化學(xué)氣相沉積法沉積在所述銅箔表面上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所 述金屬層采用電子束蒸發(fā)或者磁控濺射技術(shù)沉積在所述石墨烯表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所 述金屬層的厚度為5nm～50nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的石墨烯薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所 述金屬層包括單層金屬層或復(fù)合層金屬層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的石墨烯薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所 述金屬層采用的金屬包括鈦、金、鎳、鈀或鉑。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所 述支撐層的密度小于所述銅腐蝕液的密度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的石墨烯薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所 述支撐層為聚氨酯材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所 述目標襯底包括絕緣層，其中，絕緣層的材料包括二氧化硅、碳化硅、玻璃或 藍寶石。