[發(fā)明專利]一種具有側(cè)壁微結(jié)構(gòu)的氮化鎵基發(fā)光二極管及其加工工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610155125.0 | 申請日： | 2016-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN105679906A | 公開（公告）日： | 2016-06-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王文娟;呂奇孟;宋彬;彭紹文;江方;姚素霞;溫華熾 | 申請（專利權(quán)）人： | 廈門乾照光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/22 | 分類號： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 揚州市錦江專利事務(wù)所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 361000 福建省廈*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 具有 側(cè)壁 微結(jié)構(gòu) 氮化 發(fā)光二極管 及其 加工 工藝 | ||
1.一種具有側(cè)壁微結(jié)構(gòu)的氮化鎵基發(fā)光二極管，包括設(shè)置在襯底一側(cè)的N-GaN層，在N-GaN層上呈臺階式依次設(shè)置有源區(qū)、P-GaN層和電流擴展層，在N-GaN層的臺階面上設(shè)置N電極及N電極引腳，在電流擴展層上表面設(shè)置P電極及P電極引腳；其特征在于：有源區(qū)和P-GaN層的外側(cè)面為凹凸形表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有側(cè)壁微結(jié)構(gòu)的氮化鎵基發(fā)光二極管，其特征在于：所述凹凸形表面為矩形、弧形、三角形、梯形或不規(guī)則形狀中的至少任意一種。
3.如權(quán)利要求1所述具有側(cè)壁微結(jié)構(gòu)的氮化鎵基發(fā)光二極管的加工工藝，包括以下步驟：
1）在襯底的同一側(cè)依次外延生長N-GaN層、有源區(qū)和P-GaN層；
2）通過勻光刻膠、曝光、顯影的方法在不需要刻蝕的P-GaN層上表面制作保護層；
3）自P-GaN層向下刻蝕，直至裸露N-GaN層；
4）將ITO蒸鍍于外延片的表面，光刻后通過化學腐蝕去除多余的部分，保留P-GaN層上表面的ITO蒸鍍層，形成電流擴展層；
5）將共Cr/Al/Ti/Pt/Au蒸鍍于外延片的表面，光刻后通過剝離工藝去除多余部分，保留裸露的N-GaN層上的共Cr/Al/Ti/Pt/Au蒸鍍層，形成N電極及N電極引腳，保留電流擴展層上表面的部分共Cr/Al/Ti/Pt/Au蒸鍍層，形成P電極及P電極引腳；
其特征在于：在步驟3）時，通過刻蝕，在有源區(qū)和P-GaN層的外側(cè)面形成凹凸形表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述加工工藝，其特征在于：所述凹凸形表面為矩形、弧形、三角形、梯形或不規(guī)則形狀中的至少任意一種。
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