[發明專利]用于電器件中的載流結構的金屬化部及其制造方法

在審

• 申請號: 201610154919.5
• 申請日: 2010-12-01
• 公開（公告）號: CN105702660A
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發明（設計）人: C.比寧格;U.克瑙爾;H.措特爾;W.呂勒;T.耶武拉;R.尼斯爾
• 申請（專利權）人: 埃普科斯股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H03H9/02;H03H9/145;H05K1/09;H05K3/38;H05K1/02;H05K1/03;H05K3/04
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉春元

1.用于電器件中的載流結構的金屬化部（M），

-布置在襯底（S）上，

-具有基座、布置在該基座上的上覆層（TL）以及該基座中的布置在下層（BL）與上層（UL）之間的中間層（ML），

其中

-基座包括下層（BL），該下層布置在襯底表面上方或者布置在襯底表面上并且包括Ti或者鈦化合物作為主要成分，

-基座包括上層（UL），該上層布置在下層（BL）上方或者直接布置在下層（BL）上并且包括Cu作為主要成分，

-上覆層（TL）直接布置在上層上并且包括Al作為主要成分，以及

-中間層（ML）包括Ag。

2.根據權利要求1的金屬化部，其中下層（BL）比上層（UL）薄。

3.根據權利要求1或2的金屬化部，其中上層（UL）比上覆層（TL）薄。

4.根據權利要求1或2的金屬化部，其中中間層（ML）比下層（BL）薄或者比上層（UL）薄。

5.根據權利要求1或2的金屬化部，其中下層（BL）具有2nm至20nm之間的厚度，中間層（ML）具有0.5nm至10nm之間的厚度，并且上層（UL）具有1nm至30nm之間的厚度。

6.根據權利要求1或2的金屬化部，其中下層（BL）包括TiN。

7.根據權利要求1或2的金屬化部，其中中間層（ML）包括Au、Pt或者Pd。

8.根據權利要求1或2的金屬化部，其中中間層（ML）由Ag構成。

9.根據權利要求1或2的金屬化部，其中Al是上覆層（TL）的主要成分，并且上覆層（TL）包括Cu、Mg、Al-Cu合金、Al-Mg合金或者Al-Cu-Mg合金。

10.根據權利要求1或2的金屬化部，其中上覆層（TL）具有<111>紋理。

11.根據權利要求1或2的金屬化部，其中上覆層（TL）具有雙重或者單重紋理。

12.根據權利要求1或2的金屬化部，其中在襯底（S）與下層（BL）之間布置有壓電層（PL）。

13.根據權利要求1或2的金屬化部，其中襯底（S）是壓電的。

14.根據權利要求1或2的金屬化部，其中襯底（S）或者壓電層（PL）包括LiTaO₃或者LiNbO₃。

15.根據權利要求1或2的金屬化部，用于在利用聲波工作的器件中使用。

16.根據權利要求1或2的金屬化部，用于在利用表面聲波工作的器件中使用。

17.根據權利要求1或2的金屬化部，用于在利用表面聲波工作的雙工器中使用。

18.用于制造根據前述權利要求1-17之一的金屬化部的方法，包括步驟：

-提供襯底（S），

-在使用剝離技術的情況下施加金屬化部。

19.根據權利要求18的方法，包括步驟：

-清潔襯底表面，

-將光刻膠施加到襯底表面上，

-對光刻膠進行結構化，

-將金屬化部施加到襯底（S）和光刻膠的裸露表面上，

-取下光刻膠連同直接施加在該光刻膠上的金屬化部區域。