[發明專利]可探測苦味酸的發光晶體材料[WS4Cu4(SCN)4Tb2(INA)4(HMPA)8]n的制備方法有效
| 申請號: | 201610154690.5 | 申請日: | 2016-03-17 |
| 公開(公告)號: | CN105622956B | 公開(公告)日: | 2018-03-02 |
| 發明(設計)人: | 張金方;劉宇航;張弛 | 申請(專利權)人: | 江南大學 |
| 主分類號: | C08G83/00 | 分類號: | C08G83/00;C09K11/06 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 214122 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 探測 苦味酸 發光 晶體 材料 ws sub cu scn tb ina hmpa 制備 方法 | ||
1.可探測苦味酸的發光晶體材料[WS4Cu4(SCN)4Tb2(INA)4(HMPA)8]n的制備方法,包括以下步驟:
1.1將硫化氫氣體通入到鎢酸氨水溶液中反應,經抽濾、干燥制得四硫代鎢酸銨;
1.2將硫氰酸亞銅和1.1中制得的四硫代鎢酸銨加入到六甲基磷酰三胺攪拌數分鐘制得溶液;
1.3將異煙酸加入到步驟1.2中制得的溶液中攪拌至全部溶解,得到紅色澄清溶液,調節溶液pH;
1.4將六水合硝酸鋱的溶液加入步驟1.3中制得的紅色溶液中,經過結晶、過濾、洗滌、干燥即得到發光晶體材料[WS4Cu4(SCN)4Tb2(INA)4(HMPA)8]n。
2.根據權利要求1所述的可探測苦味酸的發光晶體材料[WS4Cu4(SCN)4Tb2(INA)4(HMPA)8]n的制備方法中,其特征在于四硫代鎢酸銨、硫氰酸亞銅和異煙酸的摩爾比為1:2~4:2~4。
3.根據權利要求1所述的可探測苦味酸的發光晶體材料[WS4Cu4(SCN)4Tb2(INA)4(HMPA)8]n的制備方法中,其特征在于調節的pH范圍為8~10。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江南大學,未經江南大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610154690.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





