[發明專利]一種核殼結構凸點制備方法及裝置有效
| 申請號: | 201610153647.7 | 申請日: | 2016-03-17 |
| 公開(公告)號: | CN105826207B | 公開(公告)日: | 2018-05-04 |
| 發明(設計)人: | 董偉;趙寧;康世薇;鐘毅;許富民;魏宇婷 | 申請(專利權)人: | 大連理工大學 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/768 |
| 代理公司: | 大連東方專利代理有限責任公司21212 | 代理人: | 李馨 |
| 地址: | 116024 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 結構 制備 方法 裝置 | ||
1.一種核殼結構凸點制備裝置,包括液滴噴射裝置和凸點形成裝置,所述液滴噴射裝置包括用于液滴噴射的腔體、并排設置在所述腔體上部的核心液滴噴射裝置和外層液滴噴射裝置,所述腔體一側開有腔體進氣口和腔體排氣口,機械泵與擴散泵安裝在所述腔體側部且與所述核心液滴噴射裝置和所述外層液滴噴射裝置及所述腔體相連;其特征在于:
所述核心液滴噴射裝置和所述外層液滴噴射裝置結構相同;所述核心液滴噴射裝置包括坩堝和與設置在所述坩堝頂部的壓電陶瓷相連的且深入所述坩堝及其中熔體內部的傳動桿,所述坩堝的底部設有中心孔,所述坩堝底部還連有與所述中心孔相通的薄片,所述薄片上設有噴射孔,所述坩堝外側設有加熱帶,所述坩堝頂部開有坩堝進氣口和坩堝排氣口;
所述傳動桿底部的直徑小于所述中心孔的直徑,所述噴射孔全部位于所述傳動桿底部的正下方;
所述核心液滴噴射裝置和所述外層液滴噴射裝置的坩堝分別通過各自的三維運動控制器與所述腔體上部相連,所述腔體中部兩側還設有維持腔體溫度的腔體溫度控制器;
所述凸點形成裝置包括用于承接所述液滴噴射裝置噴射出的液滴的基板和用于放置所述基板且對所述基板施加超聲振動的基板承載部,所述基板承載部的水平長度大于等于所述核心液滴噴射裝置的噴射孔和所述外層液滴噴射裝置的噴射孔之間的距離;
所述噴射孔與所述基板之間的垂直距離D與所述基板的溫度T之間滿足以下關系,T≥100+(D-5)×5。
2.根據權利要求1所述的核殼結構凸點制備裝置,其特征在于:當所述基板承載部為基板放置平臺時,所述凸點形成裝置置于所述腔體底部,所述基板放置平臺上具有傳送裝置,工作時,所述機械泵與所述擴散泵對所述腔體、所述核心液滴噴射裝置的坩堝和所述外層液滴噴射裝置的坩堝抽真空;
當所述基板承載部為傳送帶時,所述傳送帶位于所述腔體下方,所述腔體下部無底;或者將所述腔體下部兩側側壁開設對稱的可供所述傳送帶穿過的開口,所述核心液滴噴射裝置和所述外層液滴噴射裝置與所述傳送帶之間還設有保護氣體噴射裝置,工作時,所述機械泵與所述擴散泵僅對所述核心液滴噴射裝置的坩堝和所述外層液滴噴射裝置的坩堝抽真空。
3.根據權利要求1所述的核殼結構凸點制備裝置,其特征在于:所述核心液滴噴射裝置的坩堝和所述外層液滴噴射裝置的坩堝內均置有熱電偶,所述核心液滴噴射裝置的坩堝用于盛放核心金屬原料,所述外層液滴噴射裝置的坩堝用于盛放釬料合金原料,所述噴射孔的直徑范圍為0.01mm-0.5mm。
4.根據權利要求1所述的核殼結構凸點制備裝置,其特征在于:所述基板上制作有金屬焊盤陣列圖形,金屬焊盤的直徑小于所述噴射孔的直徑。
5.根據權利要求4所述的核殼結構凸點制備裝置,其特征在于:所述噴射孔為單孔、單列孔或與金屬焊盤陣列圖形相同的全陣列孔。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





