[發明專利]用于在半導體構件的層結構中制造多孔性結構的方法和具有所述多孔性結構元件的MEMS構件有效
| 申請號： | 201610153341.1 | 申請日： | 2016-03-17 |
| 公開（公告）號： | CN105984841B | 公開（公告）日： | 2020-08-04 |
| 發明（設計）人： | F·舍恩;B·格爾 | 申請（專利權）人： | 羅伯特·博世有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;B81B7/02;H01L21/316 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德國斯*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 半導體 構件 結構 制造 多孔 方法 有所 元件 mems | ||
【說明書】：
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