[發明專利]功率器件有效
| 申請號: | 201610152631.4 | 申請日: | 2016-03-17 |
| 公開(公告)號: | CN107204315B | 公開(公告)日: | 2019-08-02 |
| 發明(設計)人: | 劉正東;宋賀倫 | 申請(專利權)人: | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號: | H01L23/48 | 分類號: | H01L23/48 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人: | 孫偉峰 |
| 地址: | 215123 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 功率 器件 | ||
本發明提供了一種高頻功率器件,其包括:相對設置的控制極焊盤和輸出極焊盤;與所述控制極焊盤連接的控制極饋電端以及與所述輸出極焊盤連接的輸出極饋電端;其中,所述控制極饋電端與所述輸出極饋電端相對設置;與所述控制極饋電端連接的控制極叉指以及與所述輸出極饋電端連接的輸出極叉指;其中,所述控制極叉指與所述輸出極叉指交叉設置且彼此絕緣;設置于所述控制極饋電端和/或控制極叉指上的補償元件。本發明通過調節各補償元件,彌補高頻信號在各叉指間的相位差別,從而避免各叉指工作不均勻,能大大提高器件的穩定性及放大特性。
技術領域
本發明屬于半導體技術領域,具體地講,涉及一種功率器件。
背景技術
高頻功率器件具有將高頻信號(如射頻、微波等信號)進行放大的作用,廣泛應用于移動通信、廣播電視、探測及雷達等領域。典型的功率器件根據材料和結構的不同主要有硅基的MOSFET和LDMOS、砷化鎵基的MESFET、HBT和HEMT以及氮化鎵基的HEMT等器件。由于要輸出大功率,因此各類器件在布局上均采用多叉指并聯的架構。但是對于高頻信號,當信號頻率提高時信號波長降低,對于叉指數較多的大功率器件,器件物理尺寸將增加至與信號波長可比擬的程度,使得信號在各叉指間傳播時存在相位差及工作不均勻的情況,從而對器件工作的穩定性和合成功率輸出的效果造成影響。因此,如何降低叉指間的相位失衡、使各叉指均勻工作是提高器件功率性能和可靠性的關鍵。
發明內容
為了解決上述現有技術中存在的問題,本發明的目的在于提供一種功率器件,能夠彌補器件各叉指間的相位失衡,提高功率器件的可靠性和輸出性能。
本發明提供的一種功率器件,其包括:相對設置的控制極焊盤和輸出極焊盤;與所述控制極焊盤連接的控制極饋電端以及與所述輸出極焊盤連接的輸出極饋電端;其中,所述控制極饋電端與所述輸出極饋電端相對設置;與所述控制極饋電端連接的控制極叉指以及與所述輸出極饋電端連接的輸出極叉指;其中,所述控制極叉指與所述輸出極叉指交叉設置且彼此絕緣;設置于所述控制極饋電端和/或控制極叉指上的補償元件。
進一步地,所述控制極饋電端的數量為多個。
進一步地,所述輸出極饋電端的數量為多個;其中,每個控制極饋電端連接兩個所述控制極叉指,每個輸出極饋電端連接一個所述輸出極叉指,每個輸出極叉指對應插置于兩個所述控制極叉指中。
進一步地,在每個控制極饋電端上設置一個補償元件,其中,在控制極饋電端上設置的所有補償元件均為相同的補償元件或者至少包括兩個不相同的補償元件。
進一步地,所述功率器件還包括:在每相鄰的兩個控制極饋電端之間設置的補償元件;其中,設置于每相鄰的兩個控制極饋電端之間的所有補償元件均為相同的補償元件或者至少包括兩個不相同的補償元件。
進一步地,設置于每相鄰的兩個控制極饋電端之間的補償元件與設置于控制極饋電端上的補償元件相同或者不相同。
進一步地,在每個控制極叉指上設置一個補償元件;其中,在控制極叉指上設置的所有補償元件均為相同的補償元件或者至少包括兩個不相同的補償元件。
進一步地,所述補償元件為電阻、電感和電容中的一種或者至少兩種的串聯或并聯。
進一步地,所述控制極饋電端呈倒T型結構,所述控制極饋電端包括豎直延伸的第一端部和水平延伸的第二端部;其中,所述第一端部與所述控制極焊盤連接,所述第二端部與兩個所述控制極叉指連接。
進一步地,所述控制極饋電端與所述控制極焊盤一體成型,所述輸出極饋電端與所述輸出極焊盤一體成型。
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