[發(fā)明專(zhuān)利]固態(tài)儲(chǔ)存裝置的斷電期間估計(jì)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610151191.0
• 申請(qǐng)日: 2016-03-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107204204B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-01-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾士家;傅仁傑
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 建興儲(chǔ)存科技(廣州)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C16/22
• 分類(lèi)號(hào): G11C16/22
• 代理公司: 11006 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 梁揮;祁建國(guó)

一種固態(tài)儲(chǔ)存裝置的斷電期間估計(jì)方法。該固態(tài)儲(chǔ)存裝置具有一非揮發(fā)性記憶體，包括多個(gè)區(qū)塊。該方法包括下列步驟：于該固態(tài)儲(chǔ)存裝置斷電之前計(jì)算一第一區(qū)塊的一第一品質(zhì)參數(shù)，并于一第一時(shí)間計(jì)數(shù)值時(shí)，對(duì)該第一區(qū)塊進(jìn)行一校正動(dòng)作，獲得該第一區(qū)塊的一第一讀取電壓組，并記錄該第一時(shí)間計(jì)數(shù)值；于該固態(tài)儲(chǔ)存裝置接收電源之后，對(duì)該第一區(qū)塊進(jìn)行該校正動(dòng)作，獲得該第一區(qū)塊的一第二讀取電壓組；以及根據(jù)該第一品質(zhì)參數(shù)、該第一讀取電壓組、該第二讀取電壓組與該第一時(shí)間計(jì)數(shù)值，獲得一斷電期間。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種固態(tài)儲(chǔ)存裝置及其控制方法，且特別涉及一種運(yùn)用于固態(tài)儲(chǔ)存裝置的斷電期間(power-off period)估計(jì)方法。

背景技術(shù)

眾所周知，固態(tài)儲(chǔ)存裝置(solid state device)已經(jīng)非常廣泛的應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品，例如SD卡、固態(tài)硬碟等等。請(qǐng)參照?qǐng)D1，其所繪示為固態(tài)儲(chǔ)存裝置示意圖。固態(tài)儲(chǔ)存裝置10包括：界面控制電路101以及非揮發(fā)性記憶體(non-volatile memory)105。其中，非揮發(fā)性記憶體105中更包含記憶體陣列109和陣列控制電路111。

固態(tài)儲(chǔ)存裝置10經(jīng)由一外部總線(xiàn)12連接至主機(jī)(host)14，其中外部總線(xiàn)12可為USB總線(xiàn)、SATA總線(xiàn)、PCIe總線(xiàn)等等。再者，界面控制電路101經(jīng)由一內(nèi)部總線(xiàn)113連接至非揮發(fā)性記憶體105，用以根據(jù)主機(jī)14所發(fā)出的命令進(jìn)一步操控陣列控制電路111，用以將主機(jī)14的寫(xiě)入數(shù)據(jù)存入記憶體陣列109。或者，根據(jù)主機(jī)14所發(fā)出的命令進(jìn)一步操控陣列控制電路111，使得陣列控制電路111由記憶體陣列109中取得讀取數(shù)據(jù)，經(jīng)由界面控制電路101傳遞至主機(jī)14。

再者，記憶體陣列109是由多個(gè)記憶胞(memory cell)所組成。再者，根據(jù)每個(gè)記憶胞所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)量，可進(jìn)一步區(qū)分為每個(gè)記憶胞儲(chǔ)存一位元的單層記憶胞(Single-LevelCell，簡(jiǎn)稱(chēng)SLC記憶胞)、每個(gè)記憶胞儲(chǔ)存二位元的多層記憶胞(Multi-Level Cell，簡(jiǎn)稱(chēng)MLC記憶胞)以及每個(gè)記憶胞儲(chǔ)存三位元的三層記憶胞(Triple-Level Cell，簡(jiǎn)稱(chēng)TLC記憶胞)。

在記憶體陣列109里，每個(gè)記憶胞內(nèi)皆包括一浮柵晶體管(floating gatetransistor)，而陣列控制電路111可控制熱載子(hot carrier)注入浮柵極(floatinggate)的數(shù)量，即可控制浮柵晶體管的儲(chǔ)存狀態(tài)。換言之，一個(gè)記憶胞內(nèi)的浮柵晶體管可記錄二種儲(chǔ)存狀態(tài)即為SLC記憶胞；一個(gè)記憶胞內(nèi)的浮柵晶體管可記四種儲(chǔ)存狀態(tài)即為MLC記憶胞；一個(gè)記憶胞內(nèi)的浮柵晶體管可記錄八種儲(chǔ)存狀態(tài)即為T(mén)LC記憶胞。

再者，浮柵晶體管的浮柵極可以?xún)?chǔ)存熱載子，而根據(jù)熱載子儲(chǔ)存量的多寡可決定該浮柵晶體管的臨限電壓(threshold voltage，簡(jiǎn)稱(chēng)VTH)。也就是說(shuō)，具有較高的臨限電壓的浮柵晶體管需要較高的柵極電壓(gate voltage)來(lái)開(kāi)啟(turn on)浮柵晶體管；反之，具有較低的臨限電壓的浮柵晶體管則可以用較低的柵極電壓來(lái)開(kāi)啟浮柵晶體管。

因此，于固態(tài)儲(chǔ)存裝置的編程周期(program cycle)時(shí)，界面控制電路101利用陣列控制電路111控制注入浮柵的熱載子量，即可改變浮柵晶體管的臨限電壓。而在讀取周期(read cycle)時(shí)，陣列控制電路111提供讀取電壓至浮柵晶體管，并根據(jù)浮柵晶體管是否能被開(kāi)啟(turn on)來(lái)判斷其儲(chǔ)存狀態(tài)。

請(qǐng)參照?qǐng)D2A，其所繪示為T(mén)LC記憶胞的儲(chǔ)存狀態(tài)示意圖。TLC記憶胞的一個(gè)記憶胞可以根據(jù)不同的熱載子的注入量而呈現(xiàn)八個(gè)儲(chǔ)存狀態(tài)“000”～“111”。在未注入熱載子時(shí)，記憶胞可視為儲(chǔ)存狀態(tài)“000”，而隨著熱載子注入的量的增加，可再區(qū)分為其他七種儲(chǔ)存狀態(tài)。舉例來(lái)說(shuō)，儲(chǔ)存狀態(tài)“111”的記憶胞具有最高的臨限電壓準(zhǔn)位，儲(chǔ)存狀態(tài)“000”的記憶胞具有最低的臨限電壓準(zhǔn)位。再者，當(dāng)記憶胞經(jīng)過(guò)抹除周期之后，皆會(huì)回復(fù)至未注入熱載子的儲(chǔ)存狀態(tài)“000”。