[發明專利]一種表面帶正電荷的CdSe量子點的制備方法在審
| 申請號： | 201610149978.3 | 申請日： | 2016-03-16 |
| 公開（公告）號： | CN105694892A | 公開（公告）日： | 2016-06-22 |
| 發明（設計）人： | 鄒桂征;和玉鵬 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | C09K11/88 | 分類號： | C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00;C01B19/04 |
| 代理公司： | 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219 | 代理人： | 楊磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 表面 正電荷 cdse 量子 制備 方法 | ||
1.一種表面帶正電荷的CdSe量子點的制備方法，包括步驟如下：
(1)將鎘鹽溶液和巰基乙胺混合，攪拌均勻，脫氧，得鎘的前驅體溶液；
(2)將硼氫鹽溶液與硒粉混合反應，得硒氫鹽溶液；
(3)將鎘的前驅體溶液和硒氫鹽溶液混合，分散均勻，得CdSe晶核溶液；
(4)調節CdSe晶核溶液pH為5-6，加熱回流反應0.5-6h，純化，干燥，研磨，得表 面帶正電荷的CdSe量子點粉末。
2.根據權利要求1所述的表面帶正電荷的CdSe量子點的制備方法，其特征在于，步驟 (1)中所述的鎘鹽為氯化鎘。
3.根據權利要求1所述的表面帶正電荷的CdSe量子點的制備方法，其特征在于，步驟 (1)中鎘鹽與巰基乙胺的摩爾比為1：(1.5-2.5)。
4.根據權利要求1所述的表面帶正電荷的CdSe量子點的制備方法，其特征在于，步驟 (2)中所述的硼氫鹽為硼氫化鉀或硼氫化鈉，所述的硒氫鹽為硒氫化鉀或硒氫化鈉。
5.根據權利要求1所述的表面帶正電荷的CdSe量子點的制備方法，其特征在于，步驟 (3)中硒氫鹽與步驟(1)中鎘鹽的摩爾比為(0.05-0.1)：1。
6.根據權利要求1所述的表面帶正電荷的CdSe量子點的制備方法，其特征在于，步驟 (4)中調節CdSe晶核溶液pH所用試劑為鹽酸。
7.根據權利要求1所述的表面帶正電荷的CdSe量子點的制備方法，其特征在于，步驟 (4)中回流反應溫度為98-102℃。
8.根據權利要求1所述的表面帶正電荷的CdSe量子點的制備方法，其特征在于，步驟 (4)中回流反應時間為3-5h。
9.根據權利要求1所述的表面帶正電荷的CdSe量子點的制備方法，其特征在于，步驟 (4)中純化的方法為：將回流反應后的物料與異丙醇混合后離心分離，得沉淀。
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