[發明專利]半導體器件和制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201610149691.0
• 申請日: 2016-03-16
• 公開（公告）號: CN105990232B
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 金柱然;姜尚廷;安智煥
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088;H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張帆;張青

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底上的至少一個第一柵極結構，所述至少一個第一柵極結構具有在第一方向上延伸的平坦上表面，并且具有在垂直于第一方向的第二方向上的第一寬度；以及

半導體襯底上的至少一個第二柵極結構，所述至少一個第二柵極結構具有在第一方向上延伸的凸上表面，并且具有在第二方向上的第二寬度，所述第二寬度大于所述第一寬度，在從所述至少一個第二柵極結構的上表面的中心部分向所述至少一個第二柵極結構的上表面的邊緣部分的方向上，所述至少一個第二柵極結構的上表面在第三方向上的高度逐漸減小，其中，第三方向垂直于第一方向和第二方向。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

半導體襯底上的層間絕緣膜，所述層間絕緣膜在第二方向上鄰近于所述至少一個第二柵極結構的側表面，

其中，所述層間絕緣膜的上表面在第三方向上的高度隨著在第二方向上與所述至少一個第二柵極結構的側表面的距離的增大而減小。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

間隔件，其包圍所述至少一個第二柵極結構的側表面，

其中，所述至少一個第二柵極結構的上表面在第三方向上的高度在中心部分處比在所述至少一個第二柵極結構在第二方向上鄰近所述間隔件的側表面處更高，并且

其中，所述間隔件的上表面在第三方向上的高度隨著在第二方向上與所述至少一個第二柵極結構的側表面的距離的增大而持續減小。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述至少一個第二柵極結構的第二寬度是所述至少一個第一柵極結構的第一寬度的至少兩倍。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述至少一個第一柵極結構是彼此鄰近的多個第一柵極結構，所述半導體器件還包括：

層間絕緣膜，其位于所述多個第一柵極結構中彼此鄰近的兩個第一柵極結構之間，所述層間絕緣膜的平坦上表面與所述兩個第一柵極結構的上表面在同一平面內。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

半導體襯底上的層間絕緣膜，所述至少一個第一柵極結構和所述至少一個第二柵極結構填充所述層間絕緣膜中的溝槽，

其中，所述至少一個第一柵極結構包括第一柵極絕緣膜以及在所述第一柵極絕緣膜上的第一金屬柵電極膜，并且所述至少一個第二柵極結構包括第二柵極絕緣膜以及在所述第二柵極絕緣膜上的第二金屬柵電極膜，并且

其中，所述第一金屬柵電極膜的上表面是平坦的，所述第二金屬柵電極膜的上表面是凸的。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

至少一個鰭，其從半導體襯底突出，所述至少一個鰭在垂直于第一方向的第二方向上延伸，

其中，所述至少一個第一柵極結構和所述至少一個第二柵極結構延伸以覆蓋所述至少一個鰭的一部分。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，還包括：

層間絕緣膜，其鄰近所述至少一個第二柵極結構的側表面，并且覆蓋所述至少一個鰭的未被所述至少一個第二柵極結構覆蓋的部分，

其中，所述至少一個第二柵極結構的上表面在第三方向上的高度在中心部分處比在所述至少一個第二柵極結構在第二方向上鄰近所述層間絕緣膜的側表面處更高，并且

其中，所述層間絕緣膜的上表面隨著在第二方向上與所述至少一個第二柵極結構的側表面的距離的增大而減小。

9.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述至少一個第一柵極結構是彼此鄰近的多個第一柵極結構，所述半導體器件還包括：

層間絕緣膜，其鄰近所述多個第一柵極結構的側表面，并且覆蓋所述至少一個鰭的未被所述多個第一柵極結構覆蓋的部分，

所述層間絕緣膜的平坦上表面與所述多個第一柵極結構中的兩個鄰近的第一柵極結構的上表面在同一平面內。