[發明專利]金屬導線結構的形成方法

有效

• 申請號: 201610149306.2
• 申請日: 2016-03-16
• 公開（公告）號: CN107199337B
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 何羽軒
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: B22F3/105
• 分類號: B22F3/105;B22F7/02;B33Y10/00;H01L23/485
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 郭曉宇

1.一種金屬導線結構的形成方法，其特征在于，包括：

設置一第一介電結構于一基底上，其中該第一介電結構的形成方法包括化學氣相沉積工藝、原子層沉積工藝、物理氣相沉積工藝或其組合；及

沿該第一介電結構的一側面形成一第一金屬結構及一第二介電結構，包括：

形成一金屬粉末層于該基底上；

對該金屬粉末層的第一部分進行一第一激光燒結，以形成一金屬層；

在一氧氣的存在下，對該金屬粉末層的第二部分進行一第二激光燒結，以形成一金屬氧化物層；及

在該金屬層及該金屬氧化物層上，重復上述形成該金屬粉末層、該第一激光燒結及該第二激光燒結的步驟，以形成多個該金屬層及多個該金屬氧化物層，其中該些金屬層作為該第一金屬結構，該些金屬氧化物層作為該第二介電結構。

2.如權利要求1所述的金屬導線結構的形成方法，其特征在于，該第一介電結構的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述的組合。

3.如權利要求1所述的金屬導線結構的形成方法，其特征在于，該第一激光燒結及該第二激光燒結是在一低真空狀態的一腔體中進行，且該低真空狀態為該腔體氣壓10^-3mbar～10^-5mbar。

4.如權利要求1所述的金屬導線結構的形成方法，其特征在于，該第一激光燒結在一惰性氣體的環境下進行。

5.如權利要求1所述的金屬導線結構的形成方法，其特征在于，該基底為半導體晶圓、裸晶、封裝體或電路板。

6.如權利要求1所述的金屬導線結構的形成方法，其特征在于，該金屬粉末層的材料為Cu、Al、Cr、Mo、Ti、Fe、不銹鋼、鈷鉻合金、鍛鋼或Ti-6Al-4V合金。

7.如權利要求1所述的金屬導線結構的形成方法，其特征在于，該第一金屬結構及該第二介電結構作為一第一導線結構。

8.如權利要求7所述的金屬導線結構的形成方法，其特征在于，更包括形成一第二導線結構于該第一介電結構及該第一導線結構上。

9.如權利要求8所述的金屬導線結構的形成方法，其特征在于，該第二導線結構包括一第二金屬結構及一第三介電結構。

10.如權利要求8所述的金屬導線結構的形成方法，其特征在于，形成該第二導線結構于該第一介電結構及該第一導線結構的步驟包括：進行形成該金屬粉末層、該第一激光燒結及該第二激光燒結的步驟。