[發明專利]三層一體化結構太陽能電池背板及其制備方法在審
| 申請號: | 201610149030.8 | 申請日: | 2016-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN107204384A | 公開(公告)日: | 2017-09-26 |
| 發明(設計)人: | 李民;周俊 | 申請(專利權)人: | 上海海優威新材料股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/049 | 分類號: | H01L31/049;H01L31/048;B32B27/08 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司31002 | 代理人: | 王潔,鄭暄 |
| 地址: | 201209 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 三層 一體化 結構 太陽能電池 背板 及其 制備 方法 | ||
1.一種三層一體化結構太陽能電池背板,其特征在于,所述的太陽能電池背板包括:外層耐候層含氟聚合物、中間層乙烯共聚物及內層聚烯烴的三層結構,其中所述的外層含氟聚合物包括聚偏氟乙烯PVDF改性料粒,所述的PVDF改性料粒按質量百分比包括:
PVDF 80~100份;
PMMA或丙烯酸彈性體或丙烯酸酯增韌劑 0~20份;
抗氧劑 0~2份;
紫外吸收劑 0~2份。
2.根據權利要求1所述的三層一體化結構太陽能電池背板,其特征在于,所述的PVDF為聚偏氟乙烯均聚物或偏氟乙烯,以及含氟單體的共聚物的至少一種。
3.根據權利要求2所述的三層一體化結構太陽能電池背板,其特征在于,所述的含氟單體包括:偏二氟乙烯、三氟乙烯、四氟乙烯、六氟丙烯和一種或多種部分或完全氟化的α-烯烴、部分氟化的烯烴六氟異丁烯、全氟化的乙烯醚、全氟化的間二氧雜環戊烯類、烯丙基的、部分氟化的烯丙基的、或氟化的烯丙基的單體。
4.根據權利要求1所述的三層一體化結構太陽能電池背板,其特征在于,所述的外層含氟聚合物還包括聚氟乙烯、聚偏氟乙烯、偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物、聚三氟氯乙烯、乙烯-三氟氯乙烯共聚物、乙烯-四氟乙烯共聚物、四氟乙烯-全氟丙基乙烯基醚共聚物和四氟乙烯-六氟丙烯共聚物中的一種。
5.根據權利要求1所述的三層一體化結構太陽能電池背板,其特征在于,所述的丙烯酸彈性體為含丙烯酸鏈段的彈性體,包括聚甲基丙烯酸酯-丁二烯-苯乙烯共聚物MBS、聚丙烯酸丁酯PBA以及聚丙烯酸乙酯PEA中的一種或多種;所述的抗氧劑為酚系抗氧化劑、亞磷酸酯系抗氧化劑、受阻胺類中的一種或多種;所述的紫外吸收劑為具有降低塑料受紫外線破壞的添加劑,包括對苯甲酮類、苯并三唑類、水楊酸酯類、取代丙烯腈類和三嗪類吸收劑中的至少一種。
6.根據權利要求1所述的三層一體化結構太陽能電池背板,其特征在于,所述的中間層乙烯共聚物包括:乙烯-丙烯酸酯EMA、乙烯-丙烯酸EAA、乙烯-丙烯酸乙酯EEA、乙烯-甲基丙烯酸共聚物EMAA、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物EMAC、馬來酸酐或硅烷接枝的PE、EVA和POE中的一種或多種。
7.根據權利要求1所述的三層一體化結構太陽能電池背板,其特征在于,所述的內層聚 烯烴包括以下質量份數的原料:低密度聚乙烯LDPE、線性低密度聚乙烯LLDPE、高密度聚乙烯HDPE、乙烯-醋酸乙烯酯EVA、聚烯烴彈性體POE或聚丙烯PP中的一種或多種的聚合物合金70~100份,無機填料1~30份,抗氧劑0~2份,紫外吸收劑0~2份。
8.根據權利要求7所述的三層一體化結構太陽能電池背板,其特征在于,所述的無機填料包括:鈦白粉、滑石粉、高嶺土、碳酸鈣、玻璃微珠、硫酸鋇、炭黑、云母和氧化鋅中的一種或多種;所述的抗氧劑包括具有作為自由基捕獲劑作用的酚系抗氧化劑、具有作為過氧化物分解劑作用可用于塑料的抗氧劑的亞磷酸酯系抗氧化劑、受阻胺類中的一種或多種;所述的紫外吸收劑包括具有降低塑料受紫外線破壞的添加劑,對苯甲酮類、苯并三唑類、水楊酸酯類、取代丙烯腈類、三嗪類吸收劑中的至少一種。
9.根據權利要求1所述的三層一體化結構太陽能電池背板,其特征在于,所述的外層含氟聚合物厚度為5~50μm、中間層乙烯共聚物厚度為5~50μm、內層聚烯烴厚度為100~500μm。
10.一種根據權利要求1~9任一項所述的三層一體化結構太陽能電池背板的制備方法,其特征在于,所述的制備方法為采用三層共擠流延成型的方法生產,具體為:
(1)將所述的PVDF改性料粒、丙烯酸彈性體或丙烯酸酯增韌劑、抗氧劑及紫外吸收劑按重量份數在高混機中混合均勻,然后放入雙螺桿擠出機中造粒;
(2)將聚烯烴原料、無機填料、抗氧劑及紫外吸收劑按重量份數在高混機中混合均勻,然后放入雙螺桿擠出機中造粒;
(3)將改性后的PVDF粒料、中間層用粒料和內層用粒料放入各自的單螺桿擠出機中,通過三層共擠流延設備流延一體化成型。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





