[發明專利]一種ZnO/Mo/ZnO透明導電薄膜的制備方法

在審

• 申請號: 201610148702.3
• 申請日: 2016-03-16
• 公開（公告）號: CN105734512A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 廉吉慶;張大偉;王小平;王麗軍;王兆芳;寧仁敏;宋明麗;柯小龍;陳海將;蘇德龍;管璐璐;林承軍
• 申請（專利權）人: 上海理工大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司 31001
• 代理人: 吳寶根

1.一種ZnO/Mo/ZnO透明導電薄膜的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

1）室溫下將基片清洗，然后用氮氣槍將其吹干；

2）打開磁控濺射反應室，把純度為99.999%的ZnO靶材和Mo靶材固定在反應室中，將基片放入磁控濺射反應室，將反應室抽真空到9.9×10^-4Pa，打開溫控電源，將基片加熱到300~400℃，待基片溫度均勻后，向反應室通入氬氣和氧氣的混合氣，所述的氬氣和氧氣的體積比為（3~8）:1，開啟ZnO靶材一側的射頻電源，將濺射功率調至40~100W，調節壓強至2~5Pa，打開擋板，濺射8~16min40s，ZnO厚度為45~65nm；

3）將反應室重新抽真空至9.9×10^-4Pa，開啟Mo靶材一側的射頻電源，將濺射功率調至75~100W，向反應室通入氬氣，調節壓強至0.4~0.6Pa，打開擋板，濺射10~40s，Mo層厚度在5~15nm；

4）將反應室重新抽真空至9.9×10^-4Pa，再開啟ZnO靶材一側的射頻電源，將濺射功率調至40~100W，向反應室通入氬氣和氧氣的混合氣，所述的氬氣和氧氣的體積比為(3~8):1，調節壓強至2~5Pa，打開擋板，濺射8~16min40s，ZnO厚度為45~65nm；

5）待反應室溫度降至常溫，將樣品取出，放到馬弗爐中在150~400℃退火1h，冷卻至常溫，得到ZnO/Mo/ZnO疊層結構透明導電薄膜。

2.根據權利要求1所述的一種ZnO/Mo/ZnO透明導電薄膜的制備方法，其特征在于：室溫下將基片依次用無水乙醇、丙酮、去離子水超聲清洗。

3.根據權利要求1所述的一種ZnO/Mo/ZnO透明導電薄膜的制備方法，其特征在于：所述的基片是載玻片。